Il wafer di fosfuro di indio (InP) è un semiconduttore composto III-V ad alta mobilità, a banda banda diretta (1,34eV). Ottimizzato per RF ad alta frequenza (fino a THz), comunicazioni ottiche da 1,3–1,55μm e circuiti integrati fotonici (PIC) a basso rumore. Con finiture superficiali a basso EPD e pronte per l'epi.

L'arseniuro di gallio (GaAs) combina un gap di banda diretto con un'elevata mobilità elettronica, rendendolo un substrato ampiamente utilizzato per dispositivi ad alta frequenza e optoelettronici. Le wafer GaAs di PWG supportano MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodi laser e celle solari ad alta efficienza, disponibili in diversi diametri, orientamenti cristallini e finiture superficiali pronte per l'Epi.

Power Wafertech Group fornisce wafer a substrato di arseniuro di indio (InAs) per il rilevamento a infrarossi, elettronica ad alta mobilità e ricerca avanzata sui semiconduttori III-V. Le opzioni disponibili includono InA di tipo N e tipo P, con diametri selezionati dei wafer, orientamenti cristallini e finiture superficiali per la fabbricazione del dispositivo e la crescita epitassiale.

Con una costante reticolare di circa 6,096 Å, GaSb (Antimoniro di Gallio) offre un'eccellente compatibilità reticolare con materiali a base di antimoniro come InAs, AlSb e InAsSb, rendendolo una piattaforma di substrato importante per rivelatori infrarossi superreticoli di tipo II (T2SL), laser a infrarossi medi e dispositivi optoelettronici avanzati. I wafer GaSb sono disponibili in diversi diametri, orientamenti cristallini e finiture superficiali per la crescita epitassiale e la fabbricazione di dispositivi.

Con un gap di banda diretto ultra-stretto di circa 0,17 eV a 300 K e una mobilità elettronica eccezionalmente alta, InSb è particolarmente adatto per il rilevamento dell'infrarosso a media lunghezza d'onda (MWIR) nell'intervallo 3–5 μm. PWG fornisce wafer di tipo N e tipo P di antimoniro di indio (InSb) per il rilevamento ad infrarossi ad alta sensibilità, rilevamento magnetico ed elettronica criogenica.

I substrati di GaN autoportanti (FS) sono wafer di GaN di massa nativi che eliminano substrati estranei (zaffiro/silicio). Caratterizzato da densità di dislocazioni ultra-bassa e alta qualità cristallina, fornendo la piattaforma definitiva per diodi laser ad alte prestazioni, Micro-LED e dispositivi RF.