Lamine SiC
Substrato SiC
Wafer SiC premium per dispositivi di alimentazione, RF e optoelettronici. Disponibile nei politipi 4H, 6H e 3C con opzioni di tipo N, tipo P e semi-isolante. Offerta in dimensioni da 2"–12" con finiture pronte per l'Epi per la fabbricazione avanzata di semiconduttori.