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Cialde Epitassiali a semiconduttore III-V

Trebolle Epitassiali a semiconduttore III-V

PWG offre soluzioni epitassiali basate su substrati InP, GaSb e GaAs, coprendo eterostrutture per HEMT, pHEMT, HBT, diodi laser, fotorivelatori, VCSEL, rivelatori a infrarossi e altri dispositivi III-V.

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Lamine composte III-V

InSb Wafer

Con un gap di banda diretto ultra-stretto di circa 0,17 eV a 300 K e una mobilità elettronica eccezionalmente alta, InSb è particolarmente adatto per il rilevamento dell'infrarosso a media lunghezza d'onda (MWIR) nell'intervallo 3–5 μm. PWG fornisce wafer di tipo N e tipo P di antimoniro di indio (InSb) per il rilevamento ad infrarossi ad alta sensibilità, rilevamento magnetico ed elettronica criogenica.

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Lamine composte III-V

InP Wafer

Il fosfuro di indio (InP) è un semiconduttore composto III-V con una banda banda diretta (1,34eV a 300K) e una mobilità elettronica superiore rispetto al GaAs. Offre prestazioni superiori in tre aree chiave: RF ad alta frequenza (fino alla gamma THz), optoelettronica a lunga lunghezza d'onda (1,3–1,55μm) e circuiti integrati fotonici a basso rumore di fase.

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Lamine composte III-V

InAs Wafer

Con una stretta banda banda diretta di circa 0,354 eV a 300 K e una mobilità elettronica eccezionalmente alta, InA è particolarmente adatto per rivelatori a infrarossi, sensori Hall, transistor ad alta velocità e altri dispositivi ad alta mobilità.

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Lamine composte III-V

GaSb Wafer

Con una costante reticolare di circa 6,096 Å, GaSb (Antimoniro di Gallio) offre un'eccellente compatibilità reticolare con materiali a base di antimoniro come InAs, AlSb e InAsSb, rendendolo una piattaforma di substrato importante per rivelatori infrarossi superreticoli di tipo II (T2SL), laser a infrarossi medi e dispositivi optoelettronici avanzati. I wafer GaSb sono disponibili in diversi diametri, orientamenti cristallini e finiture superficiali per la crescita epitassiale e la fabbricazione di dispositivi.

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Lamine composte III-V

GaAs Wafer

L'arseniuro di gallio (GaAs) combina una banda banda diretta con un'elevata mobilità elettronica, rendendolo un materiale substrato ampiamente utilizzato per MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodi laser, LED e celle solari ad alta efficienza. I wafer GaAs sono disponibili in diversi diametri, orientamenti cristallini e finiture superficiali.

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TRE FAMIGLIE DI PRODOTTI PRINCIPALI

Un portfolio chiaro per programmi standard e specializzati.

Esaminare configurazioni comuni, usi tipici e percorsi disponibili per ulteriori specifiche.

MATERIALI DI FONDAZIONE

Semiconduttore a banda larga

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STRATI INGEGNERIZZATI

Semiconduttori composti III-V

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SPECIFICO PER IL PROGRAMMA

Materiali al silicio

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APPLICAZIONI & INDUSTRIE

Applicazioni e industrie

CASE 01 / SISTEMI AD ALTA TENSIONE

Elettronica di potenza

Soluzioni di wafer a banda larga per conversione efficiente di potenza, commutazione rapida e funzionamento affidabile ad alte temperature.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

Trazione EV · Ricarica veloce · Energia industriale

PRODOTTI CONSIGLIATI

Substrato 4H-SiC Epitassia GaN SiC personalizzato

CASE 02 / SISTEMI OTTICI

Fotonica e LED

Substrati di grado ottico per emissioni ad alta luminosità, estrazione efficiente della luce e integrazione fotonica stabile.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

LED · Diodi laser · Comunicazioni ottiche

PRODOTTI CONSIGLIATI

GaN-on-Sapphire Substrato InP Germanio

CASE 03 / SISTEMI DI PRECISIONE

Sensori e MEMS

Spessore e piattezza costanti per una modellazione precisa, strutture mobili e rilevamento affidabile.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

Rilevamento MEMS · Strumentazione · ambienti ostili

PRODOTTI CONSIGLIATI

Silicio ad alta resistività Lamine SOI Lamine di vetro

CASE 04 / SISTEMI AD ALTA FREQUENZA

RF e Comunicazioni

Piattaforme materiali per prestazioni stabili ad alta frequenza, trasmissione di segnali a bassa perdita e fabbricazione di dispositivi RF ripetibili.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

Frontali 5G · collegamenti satellitari · Dispositivi di potenza RF

PRODOTTI CONSIGLIATI

GaAs semi-isolante Substrato InP Silicio ad alta resistività

CASO 05 / SISTEMI EMERGENTI

Ricerca e Tecnologie Emergenti

Finestre di specifica flessibili per esplorazioni in fase iniziale, materiali nuovi e prototipazione a basso volume.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

Laboratori di ricerca · Prototipi · Materiali emergenti

PRODOTTI CONSIGLIATI

Germanio Wafer personalizzati Ricerca sul silicio

PROCESSO DI IMPEGNO

Come procede una domanda personalizzata

Invia i requisiti specifici del programma e i nostri ingegneri li accompagneranno dalla valutazione a un preventivo confermato.

INGEGNERIA PERSONALIZZATA

Parametri oltre la lista standard

Diametro e spessore personalizzati

Orientamento e stacco

Doping e resistività

Film sottili e stack di strati

Profilo di superficie e bordi

Marcatura e imballaggio

01Requisiti per inviare

02Revisione ingegneristica

03Allineamento delle specifiche

04Preventivo e tempi di consegna

Parla con un ingegnere

INCHIESTA TECNICA

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