Il wafer di fosfuro di indio (InP) è un semiconduttore composto III-V ad alta mobilità, a banda banda diretta (1,34eV). Ottimizzato per RF ad alta frequenza (fino a THz), comunicazioni ottiche da 1,3–1,55μm e circuiti integrati fotonici (PIC) a basso rumore. Con finiture superficiali a basso EPD e pronte per l'epi.

L'arseniuro di gallio (GaAs) combina un gap di banda diretto con un'elevata mobilità elettronica, rendendolo un substrato ampiamente utilizzato per dispositivi ad alta frequenza e optoelettronici. Le wafer GaAs di PWG supportano MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodi laser e celle solari ad alta efficienza, disponibili in diversi diametri, orientamenti cristallini e finiture superficiali pronte per l'Epi.

Power Wafertech Group fornisce wafer a substrato di arseniuro di indio (InAs) per il rilevamento a infrarossi, elettronica ad alta mobilità e ricerca avanzata sui semiconduttori III-V. Le opzioni disponibili includono InA di tipo N e tipo P, con diametri selezionati dei wafer, orientamenti cristallini e finiture superficiali per la fabbricazione del dispositivo e la crescita epitassiale.

GaSb (Antimoniro di Gallio) è il substrato preferito per l'epitassia basata su antimonidi. Con una costante di reticolo di 6,096 Å per un'eccellente compatibilità InAs/AlSb, è ampiamente utilizzato per rivelatori IR Type-II superlattice (T2SL) e laser a infrarossi medi. Disponibile in misurazioni da 2", 3" e 4" con finiture superficiali pronte per l'Epi.

Il wafer InSb (antimoniro di indio) è disponibile per i rivelatori a infrarossi MWIR e i dispositivi magnetoresistivi. Sono disponibili opzioni di tipo N e P con superfici pronte per l'epinefrino per supportare specifiche esigenze di fabbricazione del dispositivo e crescita epitassiale.

Eterostrutture di precisione sviluppate da MOCVD/MBE su substrati InP, GaSb e GaAs. Progettato per HEMT, pHEMT, HBT, diodi laser, VCSEL e rivelatori IR ad alte prestazioni. Supporto a strutture epografiche personalizzate dalla R&D alla produzione in volumi.