Select a wafer type to view detailed specs
Substrati InSb con EPD
Substrati InSb con EPD
Substrati InSb con EPD
Con un gap di banda stretto di circa 0,17 eV a 300 K, InSb è ideale per il rilevamento MWIR nell'intervallo 3–5 μm. Le applicazioni tipiche includono rivelatori a infrarossi raffreddati, array a piano focale (FPA), imaging termico e rilevamento dei gas.
Il wafer InSb combina un'elevata mobilità elettronica con forti proprietà magnetoresistive, rendendolo adatto per il rilevamento magnetico sensibile. Le applicazioni includono sensori a effetto Hall, rivelatori di campo magnetico e dispositivi di rilevamento di posizione o corrente.
Il gap di banda ristretto e la mobilità elettronica eccezionalmente elevata di InSb lo rendono attraente per la ricerca avanzata sui semiconduttori. Le applicazioni includono transistor ad alta mobilità, elettronica criogenica e sviluppo di dispositivi III–V a bassa temperatura.
Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.
InSb è ampiamente utilizzato per il rilevamento MWIR nella finestra atmosferica di circa 3–5 μm, in particolare nei sistemi di rivelatori a infrarossi raffreddati.
Possono essere utilizzati sia InSb di tipo N che di tipo P a seconda dell'architettura del rivelatore e dei requisiti di epitassie o del dispositivo.
L'InSb di tipo N è comunemente selezionato per sensori Hall e altri dispositivi di rilevamento magnetico ad alta mobilità grazie alla sua eccezionale mobilità elettronica.
Il wafer di fosfuro di indio (InP) è un semiconduttore composto III-V ad alta mobilità, a banda banda diretta (1,34eV). Ottimizzato per RF ad alta frequenza (fino a THz), comunicazioni ottiche da 1,3–1,55μm e circuiti integrati fotonici (PIC) a basso rumore. Con finiture superficiali a basso EPD e pronte per l'epi.
Visualizza dettagli
L'arseniuro di gallio (GaAs) combina un gap di banda diretto con un'elevata mobilità elettronica, rendendolo un substrato ampiamente utilizzato per dispositivi ad alta frequenza e optoelettronici. Le wafer GaAs di PWG supportano MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodi laser e celle solari ad alta efficienza, disponibili in diversi diametri, orientamenti cristallini e finiture superficiali pronte per l'Epi.
Visualizza dettagli
Power Wafertech Group fornisce wafer a substrato di arseniuro di indio (InAs) per il rilevamento a infrarossi, elettronica ad alta mobilità e ricerca avanzata sui semiconduttori III-V. Le opzioni disponibili includono InA di tipo N e tipo P, con diametri selezionati dei wafer, orientamenti cristallini e finiture superficiali per la fabbricazione del dispositivo e la crescita epitassiale.
Visualizza dettagli
GaSb (Antimoniro di Gallio) è il substrato preferito per l'epitassia basata su antimonidi. Con una costante di reticolo di 6,096 Å per un'eccellente compatibilità InAs/AlSb, è ampiamente utilizzato per rivelatori IR Type-II superlattice (T2SL) e laser a infrarossi medi. Disponibile in misurazioni da 2", 3" e 4" con finiture superficiali pronte per l'Epi.
Visualizza dettagliInchiesta Tecnica
Condividi il tuo materiale, le dimensioni, le specifiche, la fase di applicazione o del progetto. Il nostro team esaminerà le tue esigenze e risponderà entro un giorno lavorativo.
Risposta guidata dall'ingegneria
Le richieste vengono inoltrata al team tecnico o commerciale appropriato.
Indirizzo
N. 1389, Lianmei Road, Zona Industriale Lianhua, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, Cina
Telefono
