Lamine composte III-V

InSb Wafer

Con un gap di banda diretto ultra-stretto di circa 0,17 eV a 300 K e una mobilità elettronica eccezionalmente alta, InSb è particolarmente adatto per il rilevamento dell'infrarosso a media lunghezza d'onda (MWIR) nell'intervallo 3–5 μm. PWG fornisce wafer di tipo N e tipo P di antimoniro di indio (InSb) per il rilevamento ad infrarossi ad alta sensibilità, rilevamento magnetico ed elettronica criogenica.

Dimensioni — 2" e 3"
Orientamento — (100), (111)
Tipo di conduzione — Tipo N (Dopato Te) e tipo P (Dopato Ge)
Finitura superficiale — SSP o DSP, pronto per l'epidemiologia
Confezione — Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

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Specifiche dettagliate

Specifiche pubblicate per diametro del wafer.

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Parametro	Substrato InSb da 2" (50,8mm)
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	Te
Orientamento	(100) / (111)
Spessore	625±25um
Concentrazione dei portanti	2.5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato InSb da 3" (76,2mm)
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	Te
Orientamento	(100) / (111)
Spessore	800/900±25um
Concentrazione dei portanti	2.5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato InSb da 4"(100mm)
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	Te
Orientamento	(100) / (111)
Spessore	1000±25um
Concentrazione dei portanti	2.5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

Rilevamento a infrarossi MWIR

InSb è particolarmente adatto per il rilevamento infrarosso a media lunghezza d'onda intorno a 3–5 μm, rendendolo una piattaforma materiale affermata per rivelatori infrarossi raffreddati ad alta sensibilità. Dispositivi tipici: fotorivelatori MWIR array di piani focali infrarossi (FPA) Rivelatori di imaging a infrarossi Sensori di rilevamento dei gas Rivelatori di spettroscopia Applicazioni tipiche: Imaging termico Sorveglianza a infrarossi Analisi dei gas Monitoraggio industriale Strumentazione scientifica Substrato consigliato: Tipo N o tipo P InSb a seconda della struttura del rivelatore.

Sensori magnetici

L'elevata mobilità elettronica e la forte risposta magnetoresistiva dell'InSb lo rendono adatto a dispositivi sensibili di rilevamento magnetico. Dispositivi tipici: Sensori Hall Sensori magnetoresistivi Rilevatori di campo magnetico Substrato consigliato: L'InSb di tipo N è comunemente preferito per applicazioni ad alta mobilità Hall e sensore magnetico.

Elettronica criogenica e ad alta mobilità

L'elevata mobilità elettronica di InSb e il suo stretto gap di banda lo rendono utile per la ricerca elettronica avanzata, in particolare in condizioni di funzionamento a bassa temperatura. Applicazioni tipiche: Elettronica criogenica Ricerca sui transistor ad alta mobilità Dispositivi semiconduttori a bassa temperatura Ricerca elettronica avanzata III-V

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

Per quale intervallo di lunghezze d'onda viene utilizzato l'InSb?

InSb è ampiamente utilizzato per il rilevamento MWIR nella finestra atmosferica di circa 3–5 μm, in particolare nei sistemi di rivelatori a infrarossi raffreddati.

Quale wafer InSb è consigliato per i rivelatori MWIR?

Possono essere utilizzati sia InSb di tipo N che di tipo P a seconda dell'architettura del rivelatore e dei requisiti di epitassie o del dispositivo.

Quale wafer InSb è adatto ai sensori Hall?

L'InSb di tipo N è comunemente selezionato per sensori Hall e altri dispositivi di rilevamento magnetico ad alta mobilità.

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