01
Crescita dei cristalli
Controllo preciso del doping e bassa densità di difetti (PVT, LEC, VGF)
Informazioni sul Power Wafertech Group
Dalla crescita dei cristalli alle wafer epitassi
Scopri le capacità produttive a ciclo completo di PWG per substrati semiconduttori composti e wafer epi. Fornire collaborazione ingegneristica dalla ricerca e sviluppo alla produzione ad alto volume.
Panoramica dell'azienda
Il tuo partner materiale end-to-end
Power Wafertech Group è un produttore a ciclo completo di substrati semiconduttori composti e wafer epitassiali, inclusi SiC, GaN, InP, GaAs, GaSb e InSb. Controlliamo i processi principali—dalla crescita dei cristalli e la fabbricazione dei substrati fino alla deposizione epitassile—garantendo la sicurezza della catena di approvvigionamento e una rigorosa coerenza dei materiali.
Supportiamo clienti globali con una rigorosa aderenza alle specifiche, completa tracciabilità batch e un supporto rapido da ingegnere a ingegnere. Dalla prototipazione di R&S alla produzione ripetuta, consegniamo materiali documentati e di alta qualità per i tuoi programmi di dispositivi.
Tecnologia e Produzione
Un flusso integrato di sviluppo e elaborazione dei wafer
Un flusso produttivo completamente controllato e interno. Garantiamo un rigoroso controllo qualità, tracciabilità completa in batch e fornitura sicura in ogni fase del programma del tuo dispositivo.
02
Elaborazione dei wafer
Taglio avanzato, levigatura e lucidatura CMP per superfici pronte per l'Epi
03
Epitassia
Crescita HVPE / MOCVD / MBE con spessore stretto e uniformità di doping
04
Fabbricazione
Lavorazione a valle che include taglio di wafer, assottigliamento e metallizzazione
05
Caratterizzazione
Ispezione completa usando mappatura XRD, AFM e PL. CoA completo fornito.
SERVIZI WAFER
Elaborazione di Precisione dei Wafer e Supporto ai Processi del Dispositivo
Un portafoglio completo di servizi di elaborazione di precisione e deposizione di film sottili. Offriamo soluzioni su misura, dalla lavorazione dei substrati alla complessità della fabbricazione di dispositivi, garantendo che le prestazioni rispondano esattamente alle esigenze del tuo progetto.
Elaborazione dei wafer
Lucidatura CMP ad alta precisione, taglio a dazzetti e diradamento per wafer per materiali 4H-SiC, GaSb, InSb e altri materiali a banda larga/III-V.
Taglio a dadini
Assottigliamento dei wafer
Deposizione da film sottile
Rivestimenti ottici ed elettrici tramite evaporazione o sputtering a fascio elettronico. Metalli ad alta adesione (Au, Ti/Pt/Au) e film IR/UV antiriflesso.
Rivestimenti AR
Deposizione del metallo
Collegamento a wafer
Soluzioni avanzate di bonding tra cui 4H-SiC-on-Insulator (4H-SiCOI) per RF ad alte prestazioni, dispositivi di potenza e fotonica integrata.
4H-SiCOI
Impianto ionico
Controllo preciso su specie, energia e dose per formare regioni conduttive o di isolamento in SiC, GaN, Si e altri semiconduttori composti.
Doping di precisione
Qualità e ispezione
Evidenze di qualità lungo tutto il ciclo di vita dell'ordine
Le aspettative di qualità sono allineate durante la revisione delle specifiche e supportate dai controlli in entrata, in processo e in uscita. I report disponibili, i campi di tracciabilità e le opzioni di imballaggio sono confermati per prodotto e ordine.
- Ispezioni in arrivo, in corso e in uscita
- Disponibilità COA o rapporto di ispezione per prodotto
- Record a livello di batch e tracciabilità
- Requisiti di imballaggio pulito confermati per ordine
- Post-vendita reattiva e coordinamento delle emissioni
Rapporti di Test di Qualità
Standard e Sistemi di Gestione Verificati
Rapporto del test dei wafer 4H-SiC
AlN su Sapphire Template
Buonetta LED blu sul rapporto di test Sapphire
Rapporto del test InP Wafer
Gruppo 01 / 01
Prove della collaborazione
Modelli di collaborazione collaudati: dalla specifica alla produzione
Esempi rappresentativi di come supportiamo l'industria e i programmi di ricerca. I dati dettagliati del progetto e le identità dei clienti sono protetti da rigorosi NDA.
Programma Industriale
Sfida al cliente
La scala ha validato le specifiche del substrato per la produzione ad alto volume.
Soluzione PWG
Lucidatura CMP di precisione, diradamento di wafer e taglio ad alto volume per 4H-SiC. Consegna substrati pronti per il fab con una rigorosa consistenza batch.
Programma di Ricerca
Sfida al cliente
Epitassia personalizzata a basso volume per la caratterizzazione di dispositivi innovativi.
Soluzione PWG
Prototipazione rapida ed epitassia personalizzata con basso MOQ. Crescita MOCVD/MBE di stack multilivello abbinata a caratterizzazione completa dei materiali.
Sviluppo delle applicazioni
Sfida al cliente
Doping personalizzato e trattamento delle superfici per architetture emergenti.
Soluzione PWG
Impianto ionico di precisione e rivestimenti metallici su misura per isolamento del dispositivo e contatti ohmici.
Strutture e Supporto Globale
Quattro basi di produzione, laboratori e supporto globale
Visualizza l'ambito di attività di ogni sito. Le informazioni sulla struttura sono documentate soggette a validazione formale.
01
Base produttiva
Base 01
Materiali del substrato
Crescita interna dei cristalli e sintesi dei materiali
02
Base produttiva
Base 02
Elaborazione dei wafer
Affettare, macinare e lucidare
03
Base produttiva
Base 03
Epitassia e Film Sottili
Crescita avanzata dell'epitassia e deposizione di film sottili
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Base produttiva
Base 04
Ingegneria su misura
Formati speciali, QA e supporto ai programmi
Impianti di produzione
Clean room certificate ISO attrezzate per la crescita dei cristalli, la fabbricazione di wafer e la deposizione epitassiale.
Laboratorio di Ispezione
Dotato di mappatura XRD, AFM e PL per una caratterizzazione e ispezione rigorosa dei materiali.
Credenziali e Servizio Globale
Garantire la sicurezza delle catene di approvvigionamento globali con una rigorosa tracciabilità in batch, supporto ingegneristico protetto da NDA e imballaggi in camera bianca sicura.
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