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Esplora i nostri substrati semiconduttori composti standard e i wafer di epi, oppure collabora con i nostri ingegneri per specifiche personalizzate.

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Wafer Epitassiale al silicio

Power Wafertech Group fornisce wafer epitaxiali di silicio (wafer Si epi) coltivati tramite epitassi CVD avanzata. Strati epitasiali di silicio controllati con precisione vengono depositati su substrati conduttivi per ottenere lo spessore, il profilo di dopaggio e la resistività richiesti per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori.

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Substrato di silicio

Power Wafertech Group fornisce wafer in silicio monocristallino per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori, MEMS, crescita epitassiale e applicazioni di ricerca. Possono essere forniti sia wafer di silicio di prima scelta che di prova di grado.

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Lamina di Anidride di Silicio

Power Wafertech Group fornisce wafer di anidride di silicio (SiO₂ on Si) prodotti tramite ossidazione termica controllata dei substrati di silicio. Sono disponibili sia l'ossidazione termica secca che quella termica a umido per diversi spessori di ossido e requisiti di processo. I nostri wafer SiO₂ presentano uno spessore controllato dell'ossido, una buona uniformità a livello di wafer e superfici pronte per l'epi-/processo.

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TRE FAMIGLIE DI MATERIALI PRINCIPALI

Roadmap dei materiali ingegnerizzati per il tuo dispositivo

Esamina substrati e wafer di epi per famiglia di materiali. Configurazioni standard e specifiche personalizzate disponibili per R&S e produzione in serie.

MATERIALI INGEGNERIZZATI

Semiconduttori composti III-V

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MATERIALI DI FONDAZIONE

Semiconduttore a banda larga

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SPECIFICO PER IL PROGRAMMA

Materiali al silicio

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APPLICAZIONI & INDUSTRIE

Applicazioni e industrie

CASE 01 / SISTEMI AD ALTA TENSIONE

Elettronica di potenza

Soluzioni di wafer a largo gap di banda progettate per architetture 800V+. Garantire una conversione di potenza ad alta efficienza, commutazioni rapide e un funzionamento affidabile ad alte temperature.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

Motorizzazioni EV · Ricarica veloce · Azionamenti a motore industriale

PRODOTTI CONSIGLIATI

4H-SiC GaN

CASE 02 / SISTEMI OTTICI

Fotonica e LED

Materiali ingegnerizzati per LED, diodi laser (LD) e fotorivelatori. Supporta applicazioni che vanno da Micro-LED e UV fino a comunicazioni ottiche e PIC.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

LED · Diodi laser · Comunicazioni ottiche

PRODOTTI CONSIGLIATI

GaN GaAs InP

CASE 03 / SISTEMI DI PRECISIONE

Sensori e MEMS

Substrati ingegnerizzati per MEMS, sensori inerziali e applicazioni in ambienti difficili. Garantire prestazioni a basso rumore, un rigoroso controllo dello spessore e un'integrazione affidabile.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

MEMS automobilistici · Sensori inerziali · Ambienti ostili

PRODOTTI CONSIGLIATI

Silicio ad alta resistività 4H-SiC AlN

CASE 04 / SISTEMI AD ALTA FREQUENZA

RF e Comunicazioni

Wafer semiconduttori composti per prestazioni RF a bassa perdita e alta linearità. Supporta applicazioni 5G/6G, mmWave e SATCOM.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

Frontali 5G/6G · mmWave / SATCOM · Amplificatori di potenza RF

PRODOTTI CONSIGLIATI

SiC semi-isolante Wafer GaN Epi InP GaAs

CASO 05 / SISTEMI EMERGENTI

Ricerca e Tecnologie Emergenti

Potenziare la ricerca e sviluppo nelle fasi iniziali con l'ingegneria dei materiali personalizzati.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

Laboratori di ricerca · Prototipi · Materiali emergenti

PRODOTTI CONSIGLIATI

Wafer personalizzati Ostie di grado di ricerca

PROCESSO DI IMPEGNO

Come procede una domanda personalizzata

Invia i requisiti specifici del programma e i nostri ingegneri li accompagneranno dalla valutazione a un preventivo confermato.

INGEGNERIA PERSONALIZZATA

Parametri oltre la lista standard

Diametro e spessore personalizzati

Orientamento e stacco

Doping e resistività

Film sottili e stack di strati

Profilo di superficie e bordi

Marcatura e imballaggio

01Requisiti per inviare

02Revisione ingegneristica

03Allineamento delle specifiche

04Preventivo e tempi di consegna

Parla con un ingegnere

INCHIESTA TECNICA

Parla con gli ingegneri delle tue esigenze di wafer

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