SCIENZA DEI MATERIALI · PRODUZIONE DI PRECISIONE
Substrati semiconduttori composti e wafer ed ed
Dalla ricerca e sviluppo alla produzione ad alto volume. PWG fornisce wafer SiC, GaN, AlN, InP, GaAs, GaSb, InSb e speciali con rigoroso controllo qualità e tempi di consegna rapidi.
Lamine di substrato
Ostili epitassi
Ostie speciali · Supporto ingegneristico
INFORMAZIONI SUL GRUPPO POWER WAFERTECH
Wafer di precisione ingegnerizzati
Power Wafertech Group (PWG) è un produttore di materiali a ciclo completo di substrati semiconduttori composti e wafer epitassiali, tra cui SiC, GaN, InP, GaAs, GaSb e InSb. Controlliamo i processi principali—dalla crescita dei cristalli e la fabbricazione dei substrati fino alla deposizione epitassile—garantendo la sicurezza della catena di approvvigionamento e una rigorosa coerenza dei materiali.
Supportiamo clienti globali con una rigorosa aderenza alle specifiche, completa tracciabilità batch e un supporto rapido da ingegnere a ingegnere. Dalla prototipazione di R&S alla produzione ripetuta, consegniamo materiali documentati e di alta qualità per i tuoi programmi di dispositivi.
Supportiamo clienti globali con una rigorosa aderenza alle specifiche, completa tracciabilità batch e un supporto rapido da ingegnere a ingegnere. Dalla prototipazione di R&S alla produzione ripetuta, consegniamo materiali documentati e di alta qualità per i tuoi programmi di dispositivi.
Esplora il nostro approccio ingegneristico
CONSEGNA GUIDATA DALL'INGEGNERIA
Dalla valutazione iniziale dei materiali alla riproduzione.
25+
Anni di esperienza nel settore
Esperienza nel settore
500+
Clienti serviti
Programmi per i clienti serviti
4
Siti di produzione
Rete manifatturiera
QA
Documentazione di qualità
Ambito confermato per richiesta
PORTAFOGLIO PRODOTTI
Substrati e wafer epitassi
Tre famiglie di prodotti focalizzate: substrati standard e personalizzati, wafer epitassiali e configurazioni speciali per programmi di dispositivi impegnativi.
Lamine di substrato
Substrati a basso difetto per la fabbricazione di dispositivi impegnativa.
MATERIALI
SiC · GaN · AlN · GaAs · InP · GaSb · InSb · Silicio
APPLICAZIONI
Dispositivi di alimentazione · RF · Fotonica · Sensori
Ostili epitassi
Crescita epitasiale di precisione con spessore stretto e controllo del doping.
STRUTTURE
Base SiC · Base GaN · Base su GaAs · Basato su InP · Con base a GaSb
SUPPORTO AL PROGRAMMA
MOCVD / MBE · Prototipazione rapida · Produzione in Volume
Wafer personalizzati e speciali
Ostie personalizzate per specifiche non standard e programmi di dispositivi specializzati.
CAPACITÀ DI ELABORAZIONE
Lucidatura · Taglio dei wafer · Diradamento · Rivestimento
SPECIFICHE PERSONALIZZATE
Dimensioni non standard · Strutture personalizzate
TROVA PER APPLICAZIONE
Applicazioni e industrie
Materiali ingegnerizzati su misura per le tue esigenze di tensione, termica e fabbricazione.
CANDIDATURA SELEZIONATA
Elettronica di potenza
Ottimizzato per dispositivi di potenza ad alta tensione e alta efficienza. Supporta applicazioni impegnative come gruppi motopropulsori per veicoli elettrici, inverter per energie rinnovabili e alimentatori di energia per data center con intelligenza artificiale.
SOLUZIONI CONSIGLIATE
SiC · GaN
Esplora le soluzioni energetiche
PERCHÉ POWER WAFERTECH
Più di un fornitore di wafer
Dalla specifica personalizzata alla produzione ripetuta. Forniamo la collaborazione ingegneristica e la sicurezza della catena di approvvigionamento di cui il tuo programma ha bisogno.
01
Personalizzazione guidata dall'ingegneria
Materiali personalizzati su misura per le specifiche del tuo dispositivo. Definiamo parametri precisi—dimensioni, orientamento e finitura superficiale—per adattarsi alle esigenze esatte della tua applicazione.
02
Supporto dallo sviluppo alla produzione
Scalabilità senza soluzione di continuità dalla ricerca e sviluppo alla produzione di massa. Colmare il divario con prototipazione rapida, serie flessibili a basso volume e produzione ripetuta sicura.
03
Qualità e Tracciabilità Controllate
Ispezione al 100% in processo con tracciabilità completa a lotti diversi. Un rigoroso controllo dei processi e dati di test documentati garantiscono una qualità costante e una fornitura sicura e a lungo termine.
INGEGNERIA & MANIFATTURA
Processi di precisione.
Controllati in ogni fase.
Controllati in ogni fase.
Produzione completamente verticalmente integrata. Dalla crescita dei cristalli alla crescita epitassile, manteniamo un rigoroso controllo del processo in ogni fase per garantire la qualità ottimale del materiale e le prestazioni ottimali del dispositivo.
Esplora tutto
01. Crescita dei Cristalli
Controllo preciso del doping e della stechiometria utilizzando metodi avanzati di crescita in massa (ad esempio, PVT, LEC, VGF) per minimizzare i difetti fin dall'inizio.
02. Preparazione del Substrato
Taglio avanzato, levigatura e lucidatura CMP per ottenere una rugosità superficiale sub-nanometrica, controllo rigoroso TTV/Bow/Warp e superfici pronte per l'epidemiologia.
03. Crescita epitassiale
Capacità MOCVD e MBE garantiscono spessori stretti e uniformità di doping, e basse densità di difetti alla struttura del dispositivo.
04. Ispezione Qualità
Ispezione completa usando mappatura XRD, AFM e PL. La tracciabilità completa in batch con imballaggio in camera bianca garantisce un passaggio sicuro e ad alto rendimento.
CONTINUITÀ DEL PROGRAMMA
Controllo delle specifiche, documentazione completa e tracciabilità a livello batch dalla ricerca e sviluppo alla produzione.
QUALITÀ E SUPPORTO AL PROGRAMMA
Qualità integrata. Supporto ingegneristico end-to-end.
La qualità è presente in ogni fase—dalla selezione dei materiali in arrivo e al controllo dei processi SPC fino ai test finali. Forniamo documentazione completa, rigorosa aderenza alle specifiche e supporto reattivo da ingegnere a ingegnere per garantire una transizione senza intoppi dal prototipo alla produzione in serie.
Processi di Qualità Certificati ISO 9001
Tratracciabilità a batch & CoC
Rapporti di Test completi e CoA
Supporto rapido da ingegnere a ingegnere
Parla con un ingegnere
COLLABORAZIONE FIDATA
Supporto all'industria, alla ricerca e alle tecnologie emergenti
Accelerare l'innovazione dei materiali dalla ricerca e sviluppo alla produzione di massa. Collaborazione con leader del settore e istituti di ricerca su wafer personalizzati, fabbricazione specializzata e fornitura di volumi sicuri.
PROGRAMMI INDUSTRIALI
Scalabile dal prototipo alla produzione di serie
Potenziare i produttori di semiconduttori con specifiche personalizzate, prototipazione rapida e catene di approvvigionamento sicure e ad alto volume.
COLLABORAZIONE ALLA RICERCA
Materiali personalizzati per la ricerca specializzata
Collaborare con istituti di ricerca leader nella valutazione di materiali innovativi, epitassi personalizzate e fabbricazione non standard di wafer per accelerare le scoperte scientifiche.
PROGETTI TECNOLOGICI EMERGENTI
Supporto flessibile per programmi in fase iniziale
Fornire esecuzioni pilota flessibili a basso volume, prototipazione rapida e guida tecnica esperta per programmi riservati sotto la rigida protezione NDA.
Rete di Collaborazione
Affidato dai leader globali del settore e dalle istituzioni di ricerca di prim'ordine.
NOTIZIE E APPROFONDIMENTI
Ultime novità da Power Wafertech
Visualizza tutte le notizie
Tendenze del settore
2026-09-01 14:19:48
I substrati SiC da 8 pollici si stanno spostando dal pilota al mainstream. Esplora le implicazioni dell'offerta, dei prezzi e dell'epitassia per il 2026 per i produttori di dispositivi elettrici.
Tendenze del settore
2026-09-01 14:20:09
I rack AI stanno passando da 10 kW a oltre 100 kW. Scopri come l'architettura HVDC a 800 V suddivide la domanda tra SiC e GaN, e cosa significa per le specifiche degli epiwafer.
Approfondimenti tecnici
2026-10-23 17:24:21
Lo spessore dello strato distanziatore influisce fortemente sul rumore criogenico negli HEMT InP, con un bilanciamento ottimizzato dei valori che bilancia mobilità, controllo del gate e trasferimento nello spazio reale. Il dopaggio e la stabilità dello strato di cappuccio devono essere inoltre co-progettati con i processi di metallizzazione e sollevamento per mantenere bassa la resistenza al contatto.
INCHIESTA TECNICA
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Invia il materiale, le specifiche e la fase del progetto. Il nostro team di ingegneria risponderà entro 1 giorno lavorativo.
Supporto diretto da ingegnere a ingegnere
La tua richiesta viene indirizzata direttamente al nostro team tecnico per una risposta rapida e competente.
Indirizzo
N. 1389, Lianmei Road, Zona Industriale Lianhua, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, Cina
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