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InP HEMT Epitaxial Wafers: Low Noise & Custom Growth

InP HEMT Epitaxial Wafers: basso rumore e crescita personalizzata

Lo spessore dello strato distanziatore influisce fortemente sul rumore criogenico negli HEMT InP, con un bilanciamento ottimizzato dei valori che bilancia mobilità, controllo del gate e trasferimento nello spazio reale. Il dopaggio e la stabilità dello strato di cappuccio devono essere inoltre co-progettati con i processi di metallizzazione e sollevamento per mantenere bassa la resistenza al contatto.

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