I substrati di GaN autoportanti (FS) sono wafer di GaN di massa nativi che eliminano substrati estranei (zaffiro/silicio). Caratterizzato da densità di dislocazioni ultra-bassa e alta qualità cristallina, fornendo la piattaforma definitiva per diodi laser ad alte prestazioni, Micro-LED e dispositivi RF.

Il template GaN di PWG si riferisce a strati epitassiali di GaN di alta qualità coltivati su substrati di zaffiro, silicio o SiC. Fornire una piattaforma economica e pronta per l'epidemiologia per la successiva ricrescita del GaN e la fabbricazione avanzata di dispositivi.

Le wafer epitassiali a LED GaN di PWG sono eterostrutture AlGaN/InGaN coltivate con MOCVD, progettate per LED ad alta efficienza UV, blu e verde. Dotati di strutture precise multi-pozzetto quantistico (MQW), questi wafer e epe offrono un'elevata efficienza quantistica interna (IQE), emissioni uniformi e una superiore affidabilità del dispositivo.

Strutture HEMT AlGaN/GaN di precisione sviluppate per commutazione RF ad alta frequenza e alta potenza. Dotato di buffer a basso difetto e canali 2DEG ad alta densità per prestazioni superiori del dispositivo.