Epitassia GaN HEMT | Power Wafertech Group

Wafer GaN

Epitassia GaN HEMT

Strutture HEMT AlGaN/GaN di precisione sviluppate per commutazione RF ad alta frequenza e alta potenza. Dotato di buffer a basso difetto e canali 2DEG ad alta densità per prestazioni superiori del dispositivo.
  • Dimensioni — 2"–8"
  • Piattaforma di substrato — Zaffiro, Si o SiC
  • Struttura epitassiale — HEMT AlGaN/GaN (Composizione Al personalizzata e spessore GaN)
  • Caratteristiche 2DEG — Alta densità (>1,0 × 10¹³ cm⁻²)
  • Confezione — Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto
Specifiche dettagliate

Specifiche per tipo di wafer.

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Parametro RF HEMT Power HEMT
Passivazione SiN —
Layer di Cappuccio GaN GaN
Barriera AlGaN AlGaN / (In)AlN
Interlayer AlN AlN
Canale GaN GaN
Buffer GaN GaN
Nucleazione Livello di nucleazione Livello di nucleazione
Substrato Zaffiro Zaffiro
Dimensioni 2”, 4”, 6” 2”, 4”, 6”

Avviso di controllo delle esportazioni

L'esportazione di questo prodotto è regolamentata dal Ministero del Commercio della RPC (MOFCOM). Una licenza di esportazione deve essere ottenuta prima della spedizione.

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

01

Amplificatori di potenza RF

Epiwafer HEMT GaN-on-SiC / GaN-on-Si per sistemi MIMO massicci 5G/6G, comunicazione satellitare (SATCOM) e radar a array a fase.

02

Ricarica Rapida e Consumo

GaN su wafer Si HEMT per caricabatterie ultra-veloci (USB-PD), ricarica wireless e alimentatori compatti in smartphone, laptop e dispositivi IoT.

03

Conversione di energia e centri dati

GaN HEMT epi su zaffiro/silicio per alimentatori server AI, motori industriali e inverter di energia rinnovabile (solare/eolico). Permettendo una maggiore densità di potenza ed efficienza.

04

Veicoli elettrici

Wafer epitassiali GaN HEMT basati su Si per caricatori a bordo (OBIC), convertitori DC-DC e inverter di trazione, consentendo sistemi di alimentazione EV più piccoli, leggeri ed efficienti.

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

GaN-on-SiC: Migliore per RF ad alta potenza (5G/6G, radar) grazie all'eccellente conducibilità termica. GaN-on-Si: Conveniente per l'elettronica di potenza (ricarica veloce, EV OBC) e scalabile fino a 8 pollici. GaN-on-Sapphire: Piattaforma economica per RF e optoelettronica dove le richieste termiche sono inferiori.

Sì. Offriamo una completa personalizzazione della composizione e dello spessore dell'Al per ottimizzare la densità, la mobilità e la tensione di soglia di 2DEG. Sono disponibili anche strutture barriera AlN/(In)AlN e strati buffer personalizzati.

I wafer per epitassi GaN HEMT sono disponibili da 2" a 8" (misure personalizzate disponibili). Le specifiche standard includono superfici pronte per l'epi, bassa densità di difetti e rigoroso controllo TTV/Bow/Warp.

Sì. Siamo favorevoli alla ricerca e sviluppo con un MOQ basso. Supportiamo prototipazione rapida (rapido tempo), pilotaggi e una transizione fluida verso una produzione ad alto volume.

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