Wafer GaN

Epitassia GaN HEMT

Le wafer epitassiali GaN HEMT sono eterostrutture AlGaN/GaN di precisione sviluppate, progettate per dispositivi di commutazione ad alta frequenza e alta potenza.

Piattaforma di substrato — Zaffiro, Si, SiC
Dimensioni — 2"–8"
Caratteristiche — Canale di gas elettronico bidimensionale ad alta densità (2DEG)

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Specifiche dettagliate

Specifiche pubblicate per diametro del wafer.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parametro	Struttura Epi RF HEMT	Struttura Epi di Power HEMT
Passivazione	SiN	—
Layer di Cappuccio	GaN	GaN
Barriera	AlGaN	AlGaN / (In)AlN
Interlayer	AlN	AlN
Canale	GaN	GaN
Buffer	GaN	GaN
Nucleazione	Livello di nucleazione	Livello di nucleazione
Substrato	Zaffiro	Zaffiro
Dimensioni	2”, 4”, 6”	2”, 4”, 6”

Parametro	Struttura Epi in modalità D di potenza / RF HEMT	Struttura Epi HEMT in modalità E di potenza
Passivazione	SiN	/
Layer di Cappuccio	GaN	p-GaN/GaN
Barriera	AlGaN	AlGaN
Canale	GaN	GaN
Buffer	AlGaN	AlGaN
Strato di transizione	AlN	/
Substrato	Sì	Sì
Parametri del substrato
Diametro del wafer	2”, 4”, 6”, 8”	2”, 4”, 6”, 8”
Spessore del substrato	675μm / 1000μm / 1300μm / 1500μm*	675μm / 1000μm / 1300μm / 1500μm*

Parametro	RF HEMT Epi-Struttura
Passivazione	SiN
Layer di Cappuccio	GaN
Barriera	AlGaN
Interlayer	AlN
Canale	GaN
Buffer	GaN
Strato di transizione	AlN
Substrato	4H-SiC
Dimensioni	2”, 4”, 6”

* Sono disponibili strutture epinepinodi personalizzate in base alle esigenze del dispositivo.

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

Amplificatori di potenza RF

Epiwafer GaN-on-SiC o GaN-on-Si HEMT per infrastrutture 5G/6G, comunicazioni satellitari, sistemi radar

Adattatori a ricarica rapida

Epiwafer GaN-on-Si HEMT per smartphone, laptop, elettronica di consumo

Conversione di potenza

Epiwafer HEMT GaN-on-Si o GaN-on-zaffiro per alimentatori server, azionamenti a motore industriale, inverter di energia rinnovabile (solare, eolico)

Veicoli elettrici

Epiwafer GaN-on-Si HEMT per caricatori integrati (OBIC), convertitori DC-DC

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

Qual è la differenza tra GaN-on-Si, GaN-on-SiC e GaN-on-Sapphire?

Le tre piattaforme offrono diverse combinazioni di prestazioni termiche, dimensione del wafer, costo e applicazione del dispositivo: GaN-on-Si: attraente per elettronica di potenza scalabile e applicazioni sensibili ai costi. GaN-on-SiC: eccellenti prestazioni termiche e comunemente selezionato per applicazioni RF ad alta potenza. GaN-on-Sapphire: piattaforma economica per lo sviluppo di dispositivi GaN e applicazioni selezionate di alimentazione/RF.

È possibile personalizzare lo strato barriera AlGaN?

Sì. La composizione e lo spessore della barriera AlGaN possono essere personalizzati in base alle caratteristiche 2DEG richieste e al design del dispositivo. Le strutture barriera AlGaN/(In)AlN possono essere considerate anche per applicazioni specifiche.

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