I substrati di GaN autoportanti (FS) sono wafer di GaN di massa nativi che eliminano substrati estranei (zaffiro/silicio). Caratterizzato da densità di dislocazioni ultra-bassa e alta qualità cristallina, fornendo la piattaforma definitiva per diodi laser ad alte prestazioni, Micro-LED e dispositivi RF.

Il template GaN di PWG si riferisce a strati epitassiali di GaN di alta qualità coltivati su substrati di zaffiro, silicio o SiC. Fornire una piattaforma economica e pronta per l'epidemiologia per la successiva ricrescita del GaN e la fabbricazione avanzata di dispositivi.

Le wafer epitassiali a LED GaN di PWG sono eterostrutture AlGaN/InGaN coltivate con MOCVD, progettate per LED ad alta efficienza UV, blu e verde. Dotati di strutture precise multi-pozzetto quantistico (MQW), questi wafer e epe offrono un'elevata efficienza quantistica interna (IQE), emissioni uniformi e una superiore affidabilità del dispositivo.

Strutture HEMT AlGaN/GaN di precisione sviluppate per commutazione RF ad alta frequenza e alta potenza. Dotato di buffer a basso difetto e canali 2DEG ad alta densità per prestazioni superiori del dispositivo.

Wafer SiC premium per dispositivi di alimentazione, RF e optoelettronici. Disponibile nei politipi 4H, 6H e 3C con opzioni di tipo N, tipo P e semi-isolante. Offerta in dimensioni da 2"–12" con finiture pronte per l'Epi per la fabbricazione avanzata di semiconduttori.

Wafer epitassi SiC cresciuti tramite CVD, che offrono un'eccellente uniformità di spessore e bassa densità di difetti. Progettato per dispositivi di potenza da 600V a 10kV (SBD, MOSFET, IGBT), che consente applicazioni ad alte prestazioni in veicoli elettrici, drive industriali ed energie rinnovabili.