Lamine SiC

Substrato SiC

Wafer a substrato SiC per applicazioni di potenza, RF, optoelettronica e semiconduttori avanzati. Disponibile in 4H-SiC, 6H-SiC e 3C-SiC, con opzioni di tipo N, tipo P e semi-isolante, più dimensioni di wafer, livelli di dopaggio e finiture superficiali.

Politipi — 4H-SiC · 6H-SiC · 3C-SiC
Conducibilità — Tipo N · P-tipo · Semi-isolante
Opzioni antidoping — N-doped · Al-doped · V-doped
Dimensioni — 2″ · 3″ · 4″ · 6″· 8″· 12″
Superficie — SSP · DSP · Epi-ready
Confezione — Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

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Specifiche dettagliate

Specifiche pubblicate per diametro del wafer.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parametro	Substrato 4H-SiC da 8"/200mm
Polytype	4H
Diametro	200±0,2mm
Spessore	350±25μm, 500±25μm
Orientamento	4° verso (11-20) ±0,5°
Tipo di conduzione	Tipo N
Dopante	Azoto (N)
Resistività	0,015~0,03Ω·cm
MPD	≤2ea/cm² (grado A); ≤10ea/cm² (grado B); ≤50ea/cm² (grado C)
TTV	≤10μm (grado A); ≤15μm (grado B); ≤20μm (grado C)
Arco	-25~25μm (grado A); -45~45μm (grado B); -65~65μm (grado C)
Curvatura	≤35μm (grado A); ≤50μm (grado B); ≤70μm (grado C)
Rugosità superficiale	Smalto ottico Si-face CMP Ra ≤0,2nm C-face
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Confezione	Cassetta singola o multi-wafer, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato 4H-SiC da 6"/150mm
Polytype	4H
Diametro	150 ± 0,5mm
Spessore	350±25μm, 500±25μm
Orientamento	4° verso (11-20) ±0,5°
Tipo di conduzione	Tipo N
Dopante	Azoto (N)
Resistività	0,015 – 0,028Ω·cm
MPD	≤0,5cm⁻²
TTV
Arco
Curvatura
Rugosità superficiale	Smalto ottico Si-face CMP Ra ≤0,2nm C-face
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Confezione	Cassetta singola o multi-wafer, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato SiC 4"/100mm
Polytype	4H
Spessore	330 – 650μm
Orientamento	4° verso (11-20) ±0,5°
Tipo di conduzione	Tipo N
Dopante	Azoto (N)
Resistività	0,015–0,028Ω·cm
MPD (Grado A)	≤ 0,5cm⁻²
TTV
Arco
Curvatura
Rugosità superficiale	Smalto ottico Si-face CMP Ra ≤0,2nm C-face
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Confezione	Cassetta singola o multi-wafer, sigillata sottovuoto

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

Elettronica di potenza

I substrati SiC rappresentano la piattaforma ideale per la crescita epitassiale, permettendo la fabbricazione di diodi Schottky ad alte prestazioni (SBD), MOSFET e IGBT. Questi dispositivi sono ampiamente adottati nei veicoli a nuova energia, nel trasporto ferroviario, nelle smart grid e nei motori industriali, offrendo efficienza e affidabilità superiori.

Dispositivi RF e a Microonde

I wafer semi-isolanti 4H-SiC sono il substrato preferito per i transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) GaN, fornendo eccellenti prestazioni ad alta frequenza per stazioni base 5G, sistemi radar e comunicazioni satellitari.

Applicazioni emergenti AR/MR

Con il suo alto indice di rifrazione e le eccellenti proprietà ottiche, il SiC sta emergendo come un materiale promettente per circuiti integrati fotonici e guide d'onda ottiche. Questo rende le wafer 4H-SiC un substrato ideale per occhiali AR di nuova generazione e display a realtà mista, consentendo sistemi ottici compatti e ad alta efficienza basati su guide d'onda.

Elettronica per ambienti estremi

Grazie alla loro alta resistenza alle temperature e alla durezza delle radiazioni, i dispositivi basati su SiC sono idealmente adatti per applicazioni in ambienti difficili, inclusi sistemi aerospaziali, sensori di perforazione in profondità e altri sistemi elettronici critici.

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

Che tipi di wafer per substrato SiC offre PWG?

Power Wafertech Group fornisce wafer di substrato 4H-SiC, 6H-SiC e 3C-SiC. A seconda dell'applicazione, offriamo substrati SiC di tipo N, P e semi-isolanti con diversi livelli di dopaggio e proprietà elettriche.

Qual è la differenza tra wafer SiC di tipo N, tipo P e semi-isolanti?

SiC di tipo N: tipicamente drogato con azoto e ampiamente utilizzato per substrati di dispositivi di potenza e crescita epitassique. SiC di tipo P: Tipicamente dopata in alluminio e adatta a giunzioni PN, dispositivi bipolari e strutture specializzate di dispositivi. SiC semi-isolante: tipicamente dopata al vanadio e progettata per applicazioni ad alta frequenza, in particolare come substrato per l'epitassia GaN HEMT.

Quale livello di MPD possono raggiungere i tuoi substrati SiC?

I nostri substrati SiC sono disponibili con specifiche di diversa densità di micropipe (MPD) a seconda della dimensione e della qualità del wafer. Per substrati selezionati 4H-SiC, il MPD può essere anche basso fino a ≤0,1 cm⁻², mentre prodotti da 6" e 8" sono disponibili con specifiche su misura per la qualità e l'applicazione.

Offrite servizi di elaborazione wafer SiC?

Sì. Oltre ai substrati nudi, possiamo supportare la scavatura a dadini, la macinatura, l'assottigliamento, la lucidatura CMP, la lavorazione/metallizzazione posteriore, il legame cristallino e l'impianto ionico in base alle esigenze del progetto.

Inchiesta Tecnica

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