Lamine SiC

Substrato SiC

Wafer SiC premium per dispositivi di alimentazione, RF e optoelettronici. Disponibile nei politipi 4H, 6H e 3C con opzioni di tipo N, tipo P e semi-isolante. Offerta in dimensioni da 2"–12" con finiture pronte per l'Epi per la fabbricazione avanzata di semiconduttori.

Politipi — 4H-SiC · 6H-SiC · 3C-SiC
Conducibilità — Tipo N · P-tipo · Semi-isolante
Opzioni antidoping — N-doped · Al-doped · V-doped
Dimensioni — 2″ · 3″ · 4″ · 6″· 8″· 12″
Superficie — SSP · DSP · Epi-ready
Confezione — Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

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Specifiche dettagliate

Specifiche per tipo di wafer.

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Parametro	Substrato 4H-SiC da 8"/200mm
Polytype	4H
Diametro	200±0,2mm
Spessore	350±25μm, 500±25μm
Orientamento	4° verso (11-20) ±0,5°
Tipo di conduzione	Tipo N
Dopante	Azoto (N)
Resistività	0,015~0,03Ω·cm
MPD	≤2ea/cm² (grado A); ≤10ea/cm² (grado B); ≤50ea/cm² (grado C)
TTV	≤10μm (grado A); ≤15μm (grado B); ≤20μm (grado C)
Arco	-25~25μm (grado A); -45~45μm (grado B); -65~65μm (grado C)
Curvatura	≤35μm (grado A); ≤50μm (grado B); ≤70μm (grado C)
Rugosità superficiale	Si-face CMP Ra ≤0,2nm; Smalto ottico C-face
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Confezione	Cassetta singola o multi-wafer, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato 4H-SiC da 6"/150mm
Polytype	4H	4H	4H
Diametro	150 ± 0,5mm	145,5 ~ 150 mm	145,5 ~ 150 mm
Spessore	350±25μm, 500±25μm	350 ± 25μm	350 ± 25μm
Orientamento	4° verso (11-20) ±0,5°	4° verso (11-20) ±0,5°	2~4° verso (11-20) ±0,5°
Tipo di conduzione	Tipo N	Semi-isolante	Tipo P
Dopante	Azoto (N)	Vanadio (V)	Alluminio (AL)
Resistività	0,015 – 0,028Ω·cm	≥1×10⁸Ω·cm	≤0,3Ω·cm
MPD	≤0,5cm⁻²	≤1cm⁻²
TTV		≤5μm	≤5μm
Arco		–25~25μm	≤15μm
Curvatura		≤35μm	≤30μm
Rugosità superficiale	Si-face CMP Ra ≤0,2nm; Smalto ottico C-face
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronto per l'epidemiologia
Confezione	Cassetta singola o multi-wafer, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato SiC 4"/100mm
Polytype	4H	4H	4H	3C (Cubico)
Spessore	330 – 650μm	350 – 500μm	250 – 430μm	350±25μm
Orientamento	4° verso (11-20) ±0,5°	4° verso (11-20) ±0,5°	2~4° verso (11-20) ±0,5°	Sull'asse (111) ±0,5°
Tipo di conduzione	Tipo N	Semi-isolante	Tipo P	Tipo N
Dopante	Azoto (N)	Vanadio (V)	Alluminio (AL)	Azoto (N)
Resistività	0,015–0,028Ω·cm	> 1×10⁸Ω·cm	≤0,3Ω·cm	≤ 1mΩ·cm
MPD (Grado A)	≤ 0,5cm⁻²	≤ 1cm⁻²	≤ 0,1cm⁻²	≤ 0,1cm⁻²
TTV			≤5μm	≤5μm
Arco			≤15μm	≤15μm
Curvatura			≤30μm	≤30μm
Rugosità superficiale	Si-face CMP Ra ≤0,2nm; Smalto ottico C-face
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronto per l'epidemiologia
Confezione	Cassetta singola o multi-wafer, sigillata sottovuoto

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

Elettronica di potenza

I substrati SiC forniscono alta tensione di rottura e basse perdite di commutazione, consentendo dispositivi di potenza ad alta efficienza. Dispositivi tipici: MOSFET SiC, Diodi Barriera Schottky (SBD) e IGBT. Applicazioni: motorizzazioni per veicoli elettrici, ricarica rapida, smart grid, motori industriali.

Dispositivi RF e a Microonde

La piattaforma preferita per le HEMT GaN-on-SiC è semi-isolante. La sua eccellente conducibilità termica garantisce prestazioni ad alta frequenza. Applicazioni: stazioni base 5G/6G, sistemi radar, comunicazioni satellitari.

Applicazioni emergenti AR/MR

Alto indice di rifrazione e eccellenti proprietà ottiche. Ideale per circuiti integrati fotonici (PIC) e guide d'onda ottiche, che consentono display AR/MR compatti e ad alta efficienza.

Elettronica per ambienti estremi

Resistenza ad alta temperatura e durezza da radiazione (rad-hard). Progettato per ambienti ostili: sistemi aerospaziali, sensori di perforazione profonda, strumentazione nucleare ed elettronica critica per la difesa.

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

Che tipi di wafer per substrato SiC offre PWG?

PWG fornisce substrati SiC di alta qualità nei politipi 4H, 6H e 3C. Offriamo wafer N-type (N-doped), P-type (Al-doped) e semi-isolanti (V-doped) con finiture superficiali epi-ready per soddisfare le specifiche esigenze del tuo dispositivo.

Qual è la differenza tra wafer SiC di tipo N, tipo P e semi-isolanti?

SiC di tipo N: tipicamente drogato con azoto, ampiamente utilizzato per dispositivi di potenza SiC e crescita epitassile. SiC di tipo P: tipicamente doppato in alluminio, adatto a giunzioni PN, dispositivi bipolari e strutture specializzate di dispositivi. SiC semi-isolante: tipicamente doppato con vanadio, progettato per applicazioni ad alta frequenza, in particolare come substrato per l'epitassia GaN HEMT.

Quale livello di MPD possono raggiungere i tuoi substrati SiC?

I nostri substrati SiC sono disponibili con diversi gradi di densità micropipe (MPD) a seconda della dimensione del wafer. Per substrati selezionati 4H-SiC, il MPD può essere fino a ≤0,1 cm⁻², mentre i prodotti da 6" e 8" sono disponibili con specifiche personalizzate per la tua qualità e applicazione.

Offrite servizi di elaborazione wafer SiC?

Sì. Oltre ai substrati nudi, supportiamo lavorazioni a valore aggiunto tra cui taglio a dadini, macinazione, diluzione, lucidatura CMP, metallizzazione posteriore, legame cristallino e impianto ionico secondo i requisiti del progetto.

Inchiesta Tecnica

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