01
Diodi laser blu, verde e UV (LD)
La bassa densità di difetti è fondamentale per raggiungere una lunga durata operativa, una bassa corrente di soglia e un'elevata affidabilità nei laser a emmissione di bordo e nei VCSEL.
Wafer GaN
Substrato GaN indipendente
I substrati di GaN indipendenti (FS) sono wafer di GaN in massa che eliminano il modello di crescita estraneo (ad esempio, zaffiro o silicio), fornendo una piattaforma nativa con densità di dislocazioni significativamente ridotta. Questo consente prestazioni migliorate, affidabilità e durata del dispositivo in applicazioni impegnative
- Dimensioni — 4 pollici, 2 pollici, 10*10mm2
- Orientamento del cristallo — Piano A/C/M, semipolare, non polare
- Densità di dislocazioni — <5x106cm⁻² tipico
- Conduzione — semi-isolante o conduttivo
Specifiche dettagliate
Specifiche pubblicate per diametro del wafer.
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Applicazioni
Dove questo wafer fornisce valore
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Micro-LED e Display Avanzati
Essenziale per la produzione di array di micro-pixel ad alta efficienza e uniformi con minima variazione di lunghezza d'onda, guidando display di nuova generazione per applicazioni AR/VR e ultra-alta luminosità.
03
Dispositivi RF ad alta potenza / alta frequenza
La combinazione di eccellente conduttività termica e proprietà semi-isolanti rende questi substrati ideali per amplificatori di potenza RF ad alta linearità ed alta efficienza in infrastrutture 5G/6G e sistemi a onde millimetriche.
04
Ricerca e sviluppo fondamentali e applicata
La piattaforma definitiva per esplorare la fisica dei dispositivi GaN innovativi, le strutture quantistiche e i concetti optoelettronici di nuova generazione.
Domande frequenti
Domande comuni su questo prodotto
Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.
La densità tipica di dislocazioni è <5 × 10⁶ cm⁻². I valori specifici possono essere discussi in base al grado e all'applicazione del wafer richiesto.
Sì. Oltre al GaN convenzionale del piano c, possiamo fornire substrati a piano a, piano m, semipolari e non polari secondo i requisiti della struttura del dispositivo prevista.
Inchiesta Tecnica
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Risposta guidata dall'ingegneria
Le richieste vengono inoltrata al team tecnico o commerciale appropriato.
Indirizzo
N. 1389, Lianmei Road, Zona Industriale Lianhua, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, Cina
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