01
Diodi laser blu, verde e UV (LD)
La bassa densità di dislocazioni (<5×10⁶ cm⁻²) consente laser e VCSEL ad alta efficienza, corrente a bassa soglia e lunga durata per applicazioni blu, verdi e UV.
Wafer GaN
Substrato GaN indipendente
I substrati di GaN autoportanti (FS) sono wafer di GaN di massa nativi che eliminano substrati estranei (zaffiro/silicio). Caratterizzato da densità di dislocazioni ultra-bassa e alta qualità cristallina, fornendo la piattaforma definitiva per diodi laser ad alte prestazioni, Micro-LED e dispositivi RF.
- Dimensioni — 2 pollici, 4 pollici, 10 x 10 mm²
- Orientamento del cristallo — Piano A/C/M, semipolare, non polare
- Densità di dislocazioni — tipicamente < 5×10⁶ cm⁻²
- Tipo di conduzione — Tipo N (Si-dopato) · Semi-isolante (Fe- o C-dopato)
- Finitura superficiale — Epi-ready
- Confezione — Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto
Specifiche dettagliate
Specifiche per tipo di wafer.
Select a wafer type to view detailed specs
Avviso di controllo delle esportazioni
L'esportazione di questo prodotto è regolamentata dal Ministero del Commercio della RPC (MOFCOM). Una licenza di esportazione deve essere ottenuta prima della spedizione.
Avviso di controllo delle esportazioni
L'esportazione di questo prodotto è regolamentata dal Ministero del Commercio della RPC (MOFCOM). Una licenza di esportazione deve essere ottenuta prima della spedizione.
Avviso di controllo delle esportazioni
L'esportazione di questo prodotto è regolamentata dal Ministero del Commercio della RPC (MOFCOM). Una licenza di esportazione deve essere ottenuta prima della spedizione.
Applicazioni
Dove questo wafer fornisce valore
02
Micro-LED e Display Avanzati
Piattaforma nativa GaN che offre emissioni uniformi e alta qualità cristallina per display Micro-LED AR/VR di nuova generazione e applicazioni ad altissima luminosità.
03
RF ad alta potenza / alta frequenza
L'eccellente conducibilità termica e le proprietà semi-isolanti lo rendono ideale per amplificatori di potenza RF ad alta linearità ed alta efficienza in infrastrutture 5G/6G e sistemi a onde millimetriche.
04
Ricerca e sviluppo fondamentali e applicata
La piattaforma definitiva per esplorare la fisica dei dispositivi GaN innovativi, i dispositivi quantistici (punti/fili quantistici) e i concetti optoelettronici di nuova generazione.
Domande frequenti
Domande comuni su questo prodotto
Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.
La densità tipica di dislocazioni è <5×10⁶ cm⁻². I valori specifici possono essere discussi in base al grado e all'applicazione del wafer richiesto.
Sì. Oltre al GaN convenzionale del piano c, possiamo fornire substrati a piano a, piano m, semipolari e non polari secondo i requisiti della struttura del dispositivo prevista.
Sì. PWG è favorevole alla ricerca e sviluppo. Forniamo sia misure standard (2 pollici, 4 pollici, 10x10mm²) sia dimensioni personalizzate.
I wafer sono sigillati sottovuoto in cassette single wafer all'interno di una camera bianca per garantire la consegna pronta per il Fab.
GaN Template
Il template GaN di PWG si riferisce a strati epitassiali di GaN di alta qualità coltivati su substrati di zaffiro, silicio o SiC. Fornire una piattaforma economica e pronta per l'epidemiologia per la successiva ricrescita del GaN e la fabbricazione avanzata di dispositivi.
Visualizza dettagli
Epitassia LED GaN
Le wafer epitassiali a LED GaN di PWG sono eterostrutture AlGaN/InGaN coltivate con MOCVD, progettate per LED ad alta efficienza UV, blu e verde. Dotati di strutture precise multi-pozzetto quantistico (MQW), questi wafer e epe offrono un'elevata efficienza quantistica interna (IQE), emissioni uniformi e una superiore affidabilità del dispositivo.
Visualizza dettagli
Epitassia GaN HEMT
Strutture HEMT AlGaN/GaN di precisione sviluppate per commutazione RF ad alta frequenza e alta potenza. Dotato di buffer a basso difetto e canali 2DEG ad alta densità per prestazioni superiori del dispositivo.
Visualizza dettagliInchiesta Tecnica
Parla con gli ingegneri delle tue esigenze di wafer
Condividi il tuo materiale, le dimensioni, le specifiche, la fase di applicazione o del progetto. Il nostro team esaminerà le tue esigenze e risponderà entro un giorno lavorativo.
Risposta guidata dall'ingegneria
Le richieste vengono inoltrata al team tecnico o commerciale appropriato.
Indirizzo
N. 1389, Lianmei Road, Zona Industriale Lianhua, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, Cina
Telefono
