Cialde Epitassiali a semiconduttore III-V

Trebolle Epitassiali a semiconduttore III-V

Eterostrutture di precisione sviluppate da MOCVD/MBE su substrati InP, GaSb e GaAs. Progettato per HEMT, pHEMT, HBT, diodi laser, VCSEL e rivelatori IR ad alte prestazioni. Supporto a strutture epografiche personalizzate dalla R&D alla produzione in volumi.

Substrato — InP, GaSb, GaAs
Metodo di Crescita — MOCVD, MBE
Tipo di epinefrino — HEMT, PHEMT, HBT, LD, VCSEL, Fotorivelatore, T2SL
Personalizzazione — Spessore dello strato, doping e stack multi-layer
Confezione — Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

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Specifiche dettagliate

Specifiche per tipo di wafer.

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Sistema Materiale	Struttura tipica	Proprietà chiave	Applicazioni primarie
InGaAs/InP	Rilevatore di pin/APD Canale HEMT	Alta mobilità elettronica Assorbimento a 1,3–1,55μm	Ricevitori ottici ad alta velocità HEMT mmWave
InGaAsP/InP	Strutture laser a pozzi quantistici multipli	Gap di banda diretto Lunghezza d'onda sintonizzabile	Laser DFB, EML Modulatori di elettroassorbimento (EAM) Amplificatori ottici
InAlAs/InGaAs/InP	Eterostruttura 2DEG	Guadagno migliore Rumore più basso Maggiore efficienza energetica	HEMT e HBT ad altissima velocità
LT-InGaAs (InGaAs a bassa temperatura)	Strato di InGaAs coltivato a bassa temperatura	Resistività ultra-alta Durata del portatore ultra-veloce	Antenne fotoconduttive a terahertz Fotorivelatori ultra-veloci

Avviso di controllo delle esportazioni

L'esportazione di questo prodotto è regolamentata dal Ministero del Commercio della RPC (MOFCOM). Una licenza di esportazione deve essere ottenuta prima della spedizione. Contatta il nostro team di conformità per maggiori dettagli.

Sistema Materiale	Struttura tipica	Proprietà chiave	Applicazioni primarie
InAs/GaSb (Superreticolo di Tipo II)	Strutture del rivelatore IR T2SL	Copertura spettrale ampia (estensibile >14μm)	Imaging ad alte prestazioni MWIR & LWIR
InGaAsSb/GaSb AlGaAsSb/GaSb	Strutture laser a pozzo quantistico	Gap di banda diretto Emissione infrarossi media	Laser a infrarossi medio perRilevamento dei gas
Strutture termofotovoltaiche (TPV) basate su GaSb	Struttura PIN	Conversione energetica ad alta efficienza	Celle TPV

Avviso di controllo delle esportazioni

Sistema Materiale	Struttura tipica	Proprietà chiave	Applicazioni primarie
AlGaAs/GaAs	Pozzi quantistici, eterostrutture	Alta mobilità elettronica Gap di banda diretto	HEMT RF 5G/6G Diodi laser a prossimo infrarosso (LD)
InGaP/GaAs	Strutture HBT	Alta tensione di rottura Alta efficienza	Amplificatori di potenza RF (HBT)
InGaAs/GaAs (Strato di Tensione)	Strutture pHEMT	Mobilità e velocità elettronica molto elevate	LNA mmWave Interruttori ad alta velocità
AlGaInP/GaAs	Strutture di pozzi quantistici multipli	Gap di banda diretto Spettro rosso-giallo	Alta luminositàLED rossi, gialli e arancioni
LT-GaAs (GaAs a bassa temperatura)	Strato di GaAs coltivato a bassa temperatura (LTG-GaAs)	Resistività ultra-alta Durata del portatore ultra-veloce	Antenne fotoconduttive a terahertz Fotorivelatori ultra-veloci

Avviso di controllo delle esportazioni

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

Wafer Epitassi Basati su InP

I wafer epitassiali InP sono progettati per comunicazioni ottiche ad alta velocità e dispositivi RF, supportando comunicazioni ottiche 1,3–1,55 μm, laser DFB/EML, fotorivelatori PIN/APD e applicazioni mmWave HEMT/HBT.

Wafer Epi basati su GaSb

I wafer di epi GaSb sono progettati per il rilevamento e l'imaging a infrarossi a media e a onda lunga (MWIR/LWIR). Dotati di strutture Superlattice di Tipo II (T2SL), permettono rivelatori T2SL ad alte prestazioni e sistemi di rilevamento del gas.

Wafer Epitassi Basati su GaAs

I wafer epitassiali GaAs servono front-end RF 5G/6G, laser nel vicino infrarosso e LED ad alta luminosità. Le applicazioni tipiche includono dispositivi pHEMT/HBT 5G/6G, diodi laser VCSEL/infrarossi vicini, LED rosso/giallo e interruttori fotoconduttivi.

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

Quali informazioni sono necessarie per una citazione di epiwafer?

Si prega di fornire il diametro del wafer, l'orientamento del cristallo, la struttura dello strato, lo spessore dello strato, i requisiti di doping, la quantità e le applicazioni del dispositivo target.

Puoi sviluppare una struttura epi-dimensionale basata sui requisiti del nostro dispositivo?

Sì. Se non hai una struttura a strati definitiva, il nostro team tecnico discuterà il dispositivo target, la lunghezza d'onda, la frequenza o i requisiti di prestazione e raccomanderà una struttura epitasiale adatta.

Puoi fornire strutture epitassiali personalizzate?

Sì. Supportiamo la personalizzazione completa della composizione dei layer, spessore, doping, strutture quantum-well, strati buffer, strati di cappuccio e design super-reticulo.

Inchiesta Tecnica

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