Lamine composte III-V

GaSb Wafer

Con una costante reticolare di circa 6,096 Å, GaSb (Antimoniro di Gallio) offre un'eccellente compatibilità reticolare con materiali a base di antimoniro come InAs, AlSb e InAsSb, rendendolo una piattaforma di substrato importante per rivelatori infrarossi superreticoli di tipo II (T2SL), laser a infrarossi medi e dispositivi optoelettronici avanzati. I wafer GaSb sono disponibili in diversi diametri, orientamenti cristallini e finiture superficiali per la crescita epitassiale e la fabbricazione di dispositivi.

Dimensioni — 2", 3" e 4"
Orientamento — (100), (111)
Tipo di conduzione — Tipo N (Dopato Te) e tipo P (Dopato con Zn)
Finitura superficiale — SSP o DSP, pronto per l'epidemiologia
Confezione — Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

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Specifiche dettagliate

Specifiche pubblicate per diametro del wafer.

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Parametro	Substrato GaSb da 2" (50,8mm)
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	Te
Orientamento	(100) / (111)
Spessore	500±25um
TTV
Arco
Curvatura
Mobilità	2.000–3.500 cm²/V·s
Concentrazione dei portanti	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato GaSb da 3" (76,2mm)
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	Te
Orientamento	(100) / (111)
Spessore	600±25um
TTV
Arco
Curvatura
Mobilità	2.000–3.500 cm²/V·s
Concentrazione dei portanti	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato GaSb da 4"(100mm)
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	Te
Orientamento	(100) / (111)
Spessore	800±25um
TTV
Arco
Curvatura
Mobilità	2.000–3.500 cm²/V·s
Concentrazione dei portanti	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2.000 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

Rivelatori a infrarossi superreticoli di tipo II

GaSb fornisce una piattaforma a reticolo adatta per InAs/GaSb e strutture superreticole di Tipo II correlate, consentendo l'ingegneria del gap di banda su un'ampia gamma di lunghezze d'onda infrarosse. Dispositivi tipici: Rivelatori a superreticolo di tipo II (T2SL), rivelatori a infrarossi MWIR, rivelatori LWIR / VLWIR, array a piani focali a infrarossi (FPA) Applicazioni tipiche: Termografia Rilevamento a infrarossi Rilevamento dei gas Spettroscopia Difesa e imaging aerospaziale Substrato raccomandato: GaSb di tipo N o tipo P a seconda dell'epitassie e della struttura del dispositivo.

Laser e fotonica nel medio infrarosso

Il GaSb è un materiale substrato importante per strutture laser a infrarossi medio e optoelettronici basati su antimonidi. Dispositivi tipici: Diodi laser a infrarossi medio, LED IR, dispositivi fotonici a base di antimonidi, strutture a pozzo quantistico e superretico. Applicazioni tipiche: rilevamento dei gas, monitoraggio ambientale, diagnostica medica, spettroscopia molecolare. Substrato consigliato: Il GaSb di tipo N è comunemente selezionato quando è necessario un substrato elettricamente conduttivo per la fabbricazione del dispositivo.

Applicazioni termofotovoltaiche

La banda banda relativamente ridotta del GaSb la rende adatta per celle termofotovoltaiche (TPV) progettate per convertire la radiazione termica in energia elettrica. Applicazioni tipiche: recupero del calore di scarto, raccolta energetica industriale, conversione termica-elettrica, sistemi di alimentazione radioisotopica. Substrato raccomandato: GaSb di tipo P per strutture selezionate di dispositivi fotovoltaici.

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

Perché il GaSb viene utilizzato per i rivelatori a superreticolo di tipo II?

GaSb fornisce una piattaforma reticolare adatta per strutture superreticolari InAs/GaSb e correlate di tipo II, consentendo l'ingegneria a banda banda infrarossa attraverso la progettazione di eterostruttura.

Quale wafer GaSb è adatto per i rivelatori a infrarossi T2SL?

Possono essere utilizzati sia GaSb di tipo N che di tipo P. Il tipo di conducibilità appropriato dipende dall'epitassiale e dall'architettura del dispositivo specifica del T2SL.

Inchiesta Tecnica

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