Wafer GaSb pronto per l'Epi | Superreticolo di tipo II | Power Wafertech Group

Lamine composte III-V

GaSb Wafer

GaSb (Antimoniro di Gallio) è il substrato preferito per l'epitassia basata su antimonidi. Con una costante di reticolo di 6,096 Å per un'eccellente compatibilità InAs/AlSb, è ampiamente utilizzato per rivelatori IR Type-II superlattice (T2SL) e laser a infrarossi medi. Disponibile in misurazioni da 2", 3" e 4" con finiture superficiali pronte per l'Epi.
  • Dimensioni — 2", 3" e 4"
  • Orientamento — (100), (111)
  • Tipo di conduzione — Tipo N (Dopato Te) e tipo P (Dopato con Zn)
  • Finitura superficiale — SSP o DSP, pronto per l'epidemiologia
  • Confezione — Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto
Specifiche dettagliate

Specifiche per tipo di wafer.

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Parametro Substrato GaSb da 2" (50,8mm) Substrato GaSb da 2" (50,8mm)
Tipo di conduzione N-Type Tipo P
Dopante Te Zn
Orientamento (100) / (111) (100) / (111)
Spessore 500±25um 500±25um
TTV
Arco
Curvatura
Mobilità 2.000–3.500 cm²/V·s 200–500 cm²/V·s
Concentrazione dei portanti (1–20) × 10¹⁷ cm⁻³ (5–100) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD ≤2.000 cm⁻² ≤2.000 cm⁻²
Finitura superficiale SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto Norma SEMI
Confezione Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Avviso di controllo delle esportazioni

L'esportazione di questo prodotto è regolamentata dal Ministero del Commercio della RPC (MOFCOM). Una licenza di esportazione deve essere ottenuta prima della spedizione.

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

01

Rivelatori a infrarossi superreticoli di tipo II

GaSb fornisce una piattaforma reticolata per superreticoli InAs/GaSb Type-II (T2SL), consentendo l'ingegneria del gap di banda su un ampio spettro infrarosso. Dispositivi tipici: rivelatori T2SL, rivelatori MWIR/LWIR/VLWIR, array a infrarossi del piano focale (FPA). Applicazioni: imaging termico, rilevamento dei gas, spettroscopia, difesa e aerospaziale.

02

Laser e fotonica nel medio infrarosso

Substrato essenziale per laser a infrarossi medio basati su antimonidi e strutture fotoniche. Dispositivi tipici: diodi laser a infrarossi medi, LED IR, dispositivi fotonici basati su antimonidi, strutture a pozzo quantistico e superreticolo. Applicazioni: rilevamento dei gas, monitoraggio ambientale, diagnostica medica, spettroscopia molecolare.

03

Applicazioni termofotovoltaiche

Il gap di banda ristretto del GaSb lo rende ideale per celle TPV che convertono radiazione termica in energia elettrica. Applicazioni: recupero del calore di scarto, raccolta di energia industriale, conversione termica-elettrica, sistemi di potenza a radioisotopi.

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

GaSb fornisce una piattaforma perfettamente adattata al reticolo per InAs/GaSb e strutture superreticole di Tipo II correlate. Ciò consente una crescita epitasiale senza deformazione e un'ingegneria precisa del gap di banda per il rilevamento infrarossi su intervalli spettrali MWIR, LWIR e VLWIR.

Sia substrati GaSb di tipo N che di tipo P possono essere utilizzati per i rivelatori T2SL. Il GaSb di tipo N viene tipicamente selezionato quando è necessario un substrato elettricamente conduttivo per la fabbricazione del dispositivo. Il GaSb di tipo P è spesso utilizzato per specifiche architetture di rivelatori.

Sì. PWG è adatto alla ricerca e sviluppo per la prototipazione. Supportiamo la personalizzazione rapida di orientamento, doping e dimensioni per adattarsi alle esigenze del tuo dispositivo.

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