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L'esportazione di questo prodotto è regolamentata dal Ministero del Commercio della RPC (MOFCOM). Una licenza di esportazione deve essere ottenuta prima della spedizione.
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I substrati semi-isolanti in GaAs sono ampiamente utilizzati nella fabbricazione di dispositivi ad alta frequenza, inclusi MMIC, pHEMT, HEMT e HBT. Sono adatti per front-end RF, amplificatori a microonde, comunicazioni wireless e applicazioni correlate.
I substrati GaAs sono utilizzati per la crescita epitassiale di strutture optoelettroniche III-V, inclusi sistemi di dispositivi basati su AlGaAs e InGaAs. Le applicazioni includono VCSEL, diodi laser, emettitori a infrarossi e dispositivi di rilevamento ottico.
Il GaAs è un importante materiale semiconduttore III-V per dispositivi fotovoltaici ad alta efficienza, incluse celle solari spaziali e sistemi fotovoltaici a concentrazione. I requisiti del substrato dipendono dall'architettura della cella e dal processo di produzione.
I substrati GaAs supportano la crescita di strutture epitassiali III-V per alcune applicazioni LED e optoelettroniche, inclusi emettitori rossi e infrarossi.
Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.
Le wafer conduttive di GaAs, inclusi materiali di tipo N e tipo P, sono utilizzate in strutture di dispositivi che richiedono una specifica conducibilità elettrica. I wafer GaAs semi-isolanti offrono un'elevata resistività elettrica e sono comunemente utilizzati nella fabbricazione di dispositivi RF e a microonde. Il tipo appropriato dipende dall'architettura del dispositivo e dai requisiti del processo.
Il GaAs semi-isolante è comunemente considerato per MMIC, pHEMM e altri dispositivi RF o a microonde. La resistività richiesta, l'orientamento del cristallo, la finitura superficiale e altri parametri devono essere specificati secondo il progetto del dispositivo.
I substrati GaAs sono ampiamente utilizzati per la crescita epitasiale di strutture VCSEL e laser a diodo. Il tipo di conducibilità richiesto, l'orientamento, la finitura superficiale e altre specifiche dipendono dal progetto epitassiale e dall'architettura del dispositivo.
Diametri selezionati dei wafer includono 2", 3", 4" e 6". L'orientamento del cristallo, il tipo di conduttività, la resistività, la finitura superficiale e altri parametri sono soggetti alla specifica del materiale disponibile. Contatta PWG per confermare i requisiti del tuo progetto.
Il wafer di fosfuro di indio (InP) è un semiconduttore composto III-V ad alta mobilità, a banda banda diretta (1,34eV). Ottimizzato per RF ad alta frequenza (fino a THz), comunicazioni ottiche da 1,3–1,55μm e circuiti integrati fotonici (PIC) a basso rumore. Con finiture superficiali a basso EPD e pronte per l'epi.
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Power Wafertech Group fornisce wafer a substrato di arseniuro di indio (InAs) per il rilevamento a infrarossi, elettronica ad alta mobilità e ricerca avanzata sui semiconduttori III-V. Le opzioni disponibili includono InA di tipo N e tipo P, con diametri selezionati dei wafer, orientamenti cristallini e finiture superficiali per la fabbricazione del dispositivo e la crescita epitassiale.
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GaSb (Antimoniro di Gallio) è il substrato preferito per l'epitassia basata su antimonidi. Con una costante di reticolo di 6,096 Å per un'eccellente compatibilità InAs/AlSb, è ampiamente utilizzato per rivelatori IR Type-II superlattice (T2SL) e laser a infrarossi medi. Disponibile in misurazioni da 2", 3" e 4" con finiture superficiali pronte per l'Epi.
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InSb (antimoniro di indio) è disponibile per i rivelatori a infrarossi MWIR e i dispositivi magnetoresistivi. Sono disponibili opzioni di tipo N e P con superfici pronte per l'epinefrino per supportare specifiche esigenze di fabbricazione del dispositivo e crescita epitassiale.
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Risposta guidata dall'ingegneria
Le richieste vengono inoltrata al team tecnico o commerciale appropriato.
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N. 1389, Lianmei Road, Zona Industriale Lianhua, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, Cina
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