Lamine composte III-V

InAs Wafer

Con una stretta banda banda diretta di circa 0,354 eV a 300 K e una mobilità elettronica eccezionalmente alta, InA è particolarmente adatto per rivelatori a infrarossi, sensori Hall, transistor ad alta velocità e altri dispositivi ad alta mobilità.

Dimensioni — 2", 3" e 4"
Orientamento — (100), (111)
Tipo di conduzione — Tipo N (S / Sn-dopato) e P-tipo (Zn-dopato)
Finitura superficiale — SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Confezione — Cassetta singola o multi-wafer, sigillata sottovuoto

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Specifiche dettagliate

Specifiche pubblicate per diametro del wafer.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Parametro	Substrato InAs da 2" (50,8mm)
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	S / Sn
Orientamento	(100) / (111)
Spessore	500±25um
TTV
Arco
Curvatura
Mobilità elettronica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s
Concentrazione dei portanti	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia

Parametro	Substrato InAs da 3" (76,2 mm)
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	S / Sn
Orientamento	(100) / (111)
Spessore	600±25um
TTV
Arco
Curvatura
Mobilità elettronica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s
Concentrazione dei portanti	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato InAs da 4"(100mm)
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	S / Sn
Orientamento	(100) / (111)
Spessore	900±25um
TTV
Arco
Curvatura
Mobilità elettronica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s
Concentrazione dei portanti	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

Rilevamento a infrarossi

La stretta banda larga degli InA la rende adatta per il rilevamento e la rilevazione infrarossa, in particolare nel raggio di infrarossi corto e medio. Dispositivi tipici: Fotorivelatori a infrarossi Sensori IR Sensori di gas Dispositivi di imaging termico Rivelatori di spettroscopia Substrato raccomandato: InA di tipo N o tipo P, a seconda della struttura del dispositivo.

Elettronica ad alta mobilità

InAs offre una mobilità elettronica eccezionalmente alta e una bassa massa efficace degli elettroni, rendendolo un materiale attraente per dispositivi elettronici ad alta velocità e alta mobilità. Dispositivi tipici: transistor ad alta mobilità Dispositivi ad alta frequenza Dispositivi elettronici a basso rumore Sensori Hall Strutture elettroniche avanzate III-V Substrato raccomandato: InA di tipo N per applicazioni che richiedono elevata mobilità elettronica.

Ricerca sull'infrarosso e optoelettronica

I substrati InAs sono ampiamente utilizzati come piattaforma per la ricerca avanzata su materiali e dispositivi III-V. Applicazioni tipiche: Optoelettronica a infrarossi Nanostrutture semiconduttrici Dispositivi quantistici Sviluppo di materiali epitassiali Fotorivelatori avanzati

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

Perché InAs è adatto per dispositivi ad alta mobilità?

InAs ha una mobilità elettronica eccezionalmente elevata e una bassa massa efficace degli elettroni, rendendola attraente per transistor ad alta velocità, sensori Hall e altri dispositivi elettronici ad alta mobilità.

Quale wafer InAs è consigliato per i rivelatori a infrarossi?

Sia gli InA di tipo N che di tipo P possono essere utilizzati per strutture di rivelatori a infrarossi. Il tipo di conducibilità appropriato dipende dal dispositivo e dal design epitassiale.

Quale wafer InAs è adatto per dispositivi elettronici ad alta mobilità?

Gli InA di tipo N sono comunemente selezionati per applicazioni che richiedono un'elevata mobilità elettronica.

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