Lamine composte III-V

InAs Wafer

Power Wafertech Group fornisce wafer a substrato di arseniuro di indio (InAs) per il rilevamento a infrarossi, elettronica ad alta mobilità e ricerca avanzata sui semiconduttori III-V. Le opzioni disponibili includono InA di tipo N e tipo P, con diametri selezionati dei wafer, orientamenti cristallini e finiture superficiali per la fabbricazione del dispositivo e la crescita epitassiale.

Dimensioni — 2", 3" e 4"
Orientamento — (100), (111)
Tipo di conduzione — Tipo N (S / Sn-dopato) e P-tipo (Zn-dopato)
Finitura superficiale — SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Confezione — Cassetta singola o multi-wafer, sigillata sottovuoto

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Specifiche dettagliate

Specifiche per tipo di wafer.

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Parametro	Substrato InAs da 2" (50,8mm)
Tipo di conduzione	N-Type	Tipo P
Dopante	S / Sn	Zn
Orientamento	(100) / (111)	(100) / (111)
Spessore	500±25um	500±25um
TTV
Arco
Curvatura
Mobilità elettronica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentrazione dei portanti	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato InAs da 3" (76,2 mm)
Tipo di conduzione	N-Type	Tipo P
Dopante	S / Sn	Zn
Orientamento	(100) / (111)	(100) / (111)
Spessore	600±25um	600±25um
TTV
Arco
Curvatura
Mobilità elettronica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentrazione dei portanti	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato InAs da 4"(100mm)
Tipo di conduzione	N-Type	Tipo P
Dopante	S / Sn	Zn
Orientamento	(100) / (111)	(100) / (111)
Spessore	900±25um	900±25um
TTV
Arco
Curvatura
Mobilità elettronica	6.000–20.000 o ≥20.000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentrazione dei portanti	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50.000 cm⁻²	≤30.000 cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

Rivelatori e Sensori a Infrarossi

InAs è utilizzato in fotorivelatori a infrarossi e strutture di rilevamento, incluse alcune applicazioni selezionate di rilevamento dei gas e spettroscopia. Il tipo di conducibilità del substrato richiesto, la concentrazione dei portatori e la condizione della superficie dipendono dal design del rivelatore e dalla struttura del materiale. Applicazioni tipiche: fotorivelatori a infrarossi, sensori IR, spettroscopia e ricerca sul gas sensoring.

Elettronica ad alta mobilità

L'elevata mobilità elettronica degli InAs li rende un materiale utile per strutture elettroniche ad alta mobilità e per la ricerca avanzata sui transistor. Le sue proprietà elettriche possono supportare lo sviluppo di dispositivi ad alta velocità e eterostrutture elettroniche specializzate. Applicazioni tipiche: transistor ad alta mobilità, misurazioni a effetto Hall, elettronica ad alta velocità e ricerca su eterostrutture III-V.

Epitassia III-V

Il wafer InAs fornisce una piattaforma versatile per la crescita epitassiale di strutture semiconduttori composte tramite MBE e MOCVD. Il loro stretto gap di banda diretto (0,354 eV) e l'elevata mobilità elettronica li rendono ideali per la crescita di eterostrutture sensibili all'infrarosso, inclusi superreticoli InAs/GaSb Type-II, leghe InAsSb e strutture confinate quantisticamente. Le applicazioni tipiche includono lo sviluppo di materiali epitassiali per rivelatori MWIR/LWIR, transistor ad alta velocità e ricerche avanzate sui semiconduttori III-V.

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

A cosa servono le wafer InAs?

Le wafer all'arseniuro di indio (InAs) sono utilizzate nel rilevamento a infrarossi, dispositivi elettronici ad alta mobilità e nella ricerca sui semiconduttori III-V. Le applicazioni tipiche includono fotorivelatori a infrarossi, sensori Hall, strutture a transistor ad alta velocità e sviluppo di materiali epitassiali.

Quale wafer InAs è adatto per la crescita epitassile?

Il substrato InAs appropriato dipende dal sistema di materiali epitassiali, dal processo di crescita, dall'orientamento del cristallo, dalla condizione della superficie e dalla struttura del dispositivo. Specifica le tue esigenze di crescita e i criteri di accettazione della superficie quando richiedi un preventivo.

Quale wafer InAs è adatto per dispositivi elettronici ad alta mobilità?

Gli InA di tipo N sono comunemente selezionati per applicazioni che richiedono un'elevata mobilità elettronica.

Come posso richiedere un preventivo per il wafer InAs?

Invia le specifiche richieste, la quantità e la domanda prevista tramite il modulo di richiesta tecnica. Puoi anche allegare una scheda tecnica o un disegno per aiutarci a valutare le tue esigenze.

Inchiesta Tecnica

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