Lamine composte III-V

InP Wafer

Il fosfuro di indio (InP) è un semiconduttore composto III-V con una banda banda diretta (1,34eV a 300K) e una mobilità elettronica superiore rispetto al GaAs. Offre prestazioni superiori in tre aree chiave: RF ad alta frequenza (fino alla gamma THz), optoelettronica a lunga lunghezza d'onda (1,3–1,55μm) e circuiti integrati fotonici a basso rumore di fase.

Dimensioni — Disponibile in 2", 3", 4" e 6"
Orientamento — (100), (111)
Tipo di conduzione — Tipo N (S-dopato), P-tipo (Zn-dopato) e Semi-isolante (Fe-dopato)
Finitura superficiale — SSP o DSP, pronto per l'epidemiologia
Confezione — Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto
Consegna — porta a porta, tempi di consegna brevi

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Specifiche dettagliate

Specifiche pubblicate per diametro del wafer.

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Parametro	Substrato InP da 2"/50,8mm
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	S
Orientamento	(100) / (111)
Conducibilità	Tipo N
Spessore	350±25um
TTV
Arco
Curvatura
EPD	≤500cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato InP da 3" / 76,2mm
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	S
Orientamento	(100) / (111)
Conducibilità	Tipo N
Spessore	600±25um
TTV
Arco
Curvatura
EPD	≤500cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato InP da 4" / 100mm
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	S
Orientamento	(100) / (111)
Conducibilità	Tipo N
Spessore	600±25um
TTV
Arco
Curvatura
EPD	≤500cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Parametro	Substrato InP 6" / 150mm
Tipo di conduzione	N-Type
Dopante	S
Orientamento	(100) / (111)
Conducibilità	Tipo N
Spessore	675±25um
TTV
Arco	≤15um
Curvatura	≤15um
EPD	≤500cm⁻²
Finitura superficiale	SSP / DSP, pronta per l'epidemiologia
Piatto	Norma SEMI
Confezione	Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto

Applicazioni

Dove questo wafer fornisce valore

Comunicazioni ottiche e fotonica

Le wafer InP sono ampiamente utilizzate per dispositivi optoelettronici a lunga lunghezza d'onda che operano intorno alle finestre di comunicazione in fibra ottica da 1,3 μm e 1,55 μm. Dispositivi tipici: diodi laser DFB, laser EML, fotodiodi PIN, APD, circuiti integrati fotonici, dispositivi AWG. Wafer consigliati: InP di tipo N / tipo P / Semi-isolante, a seconda della struttura del dispositivo.

Elettronica ad alta velocità e RF

InP offre elevate prestazioni di trasporto elettronico ed è ampiamente utilizzato per dispositivi elettronici ad alta velocità e RF, inclusi MMIC ad alta frequenza e ricerca avanzata sui semiconduttori. Dispositivi tipici: HBT, HEMT, MMIC ad alta frequenza, moltiplicatori di frequenza, rivelatori di terahertz, dispositivi elettronici ad alta velocità, wafer consigliati: InP semi-isolante per applicazioni RF/MMIC; InP conduttiva per strutture HBT e elettroniche selezionate.

Circuiti integrati fotonici

InP è una piattaforma importante per la fotonica integrata perché supporta sia dispositivi ottici attivi sia l'integrazione fotonica. Applicazioni tipiche: Ricetrasmettitori ottici Interconnessioni dei datacenter Comunicazioni coerenti Comunicazioni in fibra ottica Circuiti integrati fotonici Moduli ottici ad alta velocità Wafer consigliati: N-tipo, tipo P o semi-isolante secondo l'epi e l'architettura del dispositivo.

Domande frequenti

Domande comuni su questo prodotto

Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.

Qual è la differenza tra wafer InP di tipo N, tipo P e semi-isolanti InP?

Le wafer InP di tipo N e P sono substrati conduttivi comunemente utilizzati per dispositivi optoelettronici ed elettronici. L'InP semi-isolante, tipicamente dopata con Fe, è particolarmente adatta per applicazioni RF, a microonde e ad alte frequenze.

Quale wafer InP è adatto per dispositivi di comunicazione ottica?

Il tipo di conducibilità adatto dipende dal dispositivo e dalla struttura epitassile. InP di tipo N, tipo P e semi-isolante possono essere utilizzati per diverse architetture di dispositivi di comunicazione ottica.

Quale wafer InP è consigliato per applicazioni RF e ad alta frequenza?

L'InP semi-isolante con dopaggio Fe è comunemente selezionato per dispositivi RF, a microonde e ad alta frequenza grazie alla sua elevata resistività e isolamento elettrico.

Puoi fornire wafer InP per progetti di R&D e piccoli lotti?

Sì. Supportiamo requisiti di ricerca, prototipi e piccoli lotti, soggetti alle specifiche e alla quantità richiesta dei wafer.

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