01
Comunicazioni ottiche e fotonica
Applicazioni: laser DFB, EML, fotodiodi PIN, APD per comunicazioni in fibra ottica da 1,3–1,55μm. Specifica raccomandata: InP di tipo N o semi-isolante (Fe-doped).
Lamine composte III-V
InP Wafer
Il wafer di fosfuro di indio (InP) è un semiconduttore composto III-V ad alta mobilità, a banda banda diretta (1,34eV). Ottimizzato per RF ad alta frequenza (fino a THz), comunicazioni ottiche da 1,3–1,55μm e circuiti integrati fotonici (PIC) a basso rumore. Con finiture superficiali a basso EPD e pronte per l'epi.
- Dimensioni — 2", 3", 4", 6”
- Orientamento — (100), (111)
- Tipo di conduzione — Tipo N (S-dopato), P-tipo (Zn-dopato) e Semi-isolante (Fe-dopato)
- Finitura superficiale — SSP o DSP, pronto per l'epidemiologia
- EPD — ≤ 500cm⁻²
- Confezione — Cassetta a wafer singolo, sigillata sottovuoto
Specifiche dettagliate
Specifiche per tipo di wafer.
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Avviso di controllo delle esportazioni
L'esportazione di questo prodotto è regolamentata dal Ministero del Commercio della RPC (MOFCOM). Una licenza di esportazione deve essere ottenuta prima della spedizione. Per maggiori dettagli, contatta il nostro team di compliance.
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Applicazioni
Dove questo wafer fornisce valore
02
Elettronica ad alta velocità e RF
Applicazioni: HBT, HEMT, HEMT MMIC, rivelatori e sorgenti THz. Specifica consigliata: InP semi-isolante per RF/MMIC; InP conduttiva per HBT/Hemt.
03
Circuiti integrati fotonici (PIC)
Applicazioni: ricetrasmettitori ottici, interconnessioni per data-center, comunicazioni coerenti. Specifica raccomandata: InP semi-isolante o di tipo N, basato sull'architettura del dispositivo.
Domande frequenti
Domande comuni su questo prodotto
Risposte rapide sulla selezione dei materiali, personalizzazione, test e ordinazione.
Il tipo N (doppato) e il tipo P (dopaggio Zn) sono substrati conduttivi per dispositivi optoelettronici ed elettronici. L'InP semi-isolante (Fe-doped) presenta un'elevata resistività ed è ideale per applicazioni RF, a microonde e ad alta frequenza.
Per laser DFB da 1,3 a 1,55 μm, EML e fotorivelatori, raccomandiamo un wafer InP di tipo N o semi-isolante (Fe-doped), a seconda della struttura epitassiale specifica e del design del dispositivo.
L'InP semi-isolante (Fe-doped) è scelto principalmente per dispositivi RF, a microonde e THz grazie alla sua elevata resistività e all'eccellente isolamento elettrico.
Sì. Supportiamo la prototipazione di R&D e gli ordini di piccoli lotti. Su richiesta sono disponibili orientamenti personalizzati, specifiche per il doping e pronte per l'adrenalina.
I wafer sono confezionati in cassette monowafer sigillate sottovuoto all'interno di una sala bianca certificata ISO. Garantiamo la consegna pronta per il fab con spedizione porta a porta.
GaAs Wafer
L'arseniuro di gallio (GaAs) combina un gap di banda diretto con un'elevata mobilità elettronica, rendendolo un substrato ampiamente utilizzato per dispositivi ad alta frequenza e optoelettronici. Le wafer GaAs di PWG supportano MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodi laser e celle solari ad alta efficienza, disponibili in diversi diametri, orientamenti cristallini e finiture superficiali pronte per l'Epi.
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InAs Wafer
Power Wafertech Group fornisce wafer a substrato di arseniuro di indio (InAs) per il rilevamento a infrarossi, elettronica ad alta mobilità e ricerca avanzata sui semiconduttori III-V. Le opzioni disponibili includono InA di tipo N e tipo P, con diametri selezionati dei wafer, orientamenti cristallini e finiture superficiali per la fabbricazione del dispositivo e la crescita epitassiale.
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GaSb Wafer
GaSb (Antimoniro di Gallio) è il substrato preferito per l'epitassia basata su antimonidi. Con una costante di reticolo di 6,096 Å per un'eccellente compatibilità InAs/AlSb, è ampiamente utilizzato per rivelatori IR Type-II superlattice (T2SL) e laser a infrarossi medi. Disponibile in misurazioni da 2", 3" e 4" con finiture superficiali pronte per l'Epi.
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InSb Wafer
InSb (antimoniro di indio) è disponibile per i rivelatori a infrarossi MWIR e i dispositivi magnetoresistivi. Sono disponibili opzioni di tipo N e P con superfici pronte per l'epinefrino per supportare specifiche esigenze di fabbricazione del dispositivo e crescita epitassiale.
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N. 1389, Lianmei Road, Zona Industriale Lianhua, Tong'an, Xiamen, Fujian 361100, Cina
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