Fornitore di Wafer e Epitassi per Semiconduttori Composti | Power Wafertech Group

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Cialde Epitassiali a semiconduttore III-V

Trebolle Epitassiali a semiconduttore III-V

Eterostrutture di precisione sviluppate da MOCVD/MBE su substrati InP, GaSb e GaAs. Progettato per HEMT, pHEMT, HBT, diodi laser, VCSEL e rivelatori IR ad alte prestazioni. Supporto a strutture epografiche personalizzate dalla R&D alla produzione in volumi.

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Lamine SiC

Substrato SiC

Wafer a substrato SiC per applicazioni di potenza, RF, optoelettronica e semiconduttori avanzati. Disponibile in 4H-SiC, 6H-SiC e 3C-SiC, con opzioni di tipo N, tipo P e semi-isolante, più dimensioni di wafer, livelli di dopaggio e finiture superficiali.
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Lamine SiC

Epitassia SiC

I nostri wafer epitassiali SiC – coltivati tramite CVD su substrati SiC – forniscono un'uniformità ben controllata e una bassa densità di difetti, formando una piattaforma affidabile per SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT e così via da 600V a 10kV.
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Modello AlN

AlN su modello in silicio

AlN su template al silicio fornisce un'interfaccia e una piattaforma buffer di alta qualità per l'epitassia GaN successiva, supportando lo sviluppo di dispositivi ad alte prestazioni di alimentazione GaN e RF.
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Modello AlN

AlN su Sapphire Template

I modelli AlN a base di zaffiro sono disponibili in più dimensioni di wafer e spessori e orientamenti AlN personalizzabili; i modelli AlN-on-zaffiro con alta qualità cristallina e bassa densità di difetti sono adatti sia per la ricerca e sviluppo che per la produzione di dispositivi.
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TRE FAMIGLIE DI MATERIALI PRINCIPALI

Roadmap dei materiali ingegnerizzati per il tuo dispositivo

Esamina substrati e wafer di epi per famiglia di materiali. Configurazioni standard e specifiche personalizzate disponibili per R&S e produzione in serie.

APPLICAZIONI & INDUSTRIE

Applicazioni e industrie

CASE 01 / SISTEMI AD ALTA TENSIONE

Elettronica di potenza

Soluzioni di wafer a largo gap di banda progettate per architetture 800V+. Garantire una conversione di potenza ad alta efficienza, commutazioni rapide e un funzionamento affidabile ad alte temperature.

FOCUS SULL'APPLICAZIONE

Motorizzazioni EV · Ricarica veloce · Azionamenti a motore industriale

PRODOTTI CONSIGLIATI

4H-SiC GaN

PROCESSO DI IMPEGNO

Come procede una domanda personalizzata

Invia i requisiti specifici del programma e i nostri ingegneri li accompagneranno dalla valutazione a un preventivo confermato.

INGEGNERIA PERSONALIZZATA

Parametri oltre la lista standard

Diametro e spessore personalizzati
Orientamento e stacco
Doping e resistività
Film sottili e stack di strati
Profilo di superficie e bordi
Marcatura e imballaggio
01Requisiti per inviare
02Revisione ingegneristica
03Allineamento delle specifiche
04Preventivo e tempi di consegna
Parla con un ingegnere

INCHIESTA TECNICA

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