Cialde Epitassiali a semiconduttore III-V
Trebolle Epitassiali a semiconduttore III-V
Eterostrutture di precisione sviluppate da MOCVD/MBE su substrati InP, GaSb e GaAs. Progettato per HEMT, pHEMT, HBT, diodi laser, VCSEL e rivelatori IR ad alte prestazioni. Supporto a strutture epografiche personalizzate dalla R&D alla produzione in volumi.