CENTRO PRODOTTO

Trova il wafer giusto per il tuo programma.

Esplora i nostri substrati semiconduttori composti standard e i wafer di epi, oppure collabora con i nostri ingegneri per specifiche personalizzate.

Richiedi supporto tecnico

Ricerca e classificazione del prodotto

Cerca per materiale. Affina per specifiche.

Trova rapidamente wafer composti a semiconduttore standard o richiedi una specifica personalizzata per il programma del tuo dispositivo.

Wafer GaN

GaN Template

Il template GaN di PWG si riferisce a strati epitassiali di GaN di alta qualità coltivati su substrati di zaffiro, silicio o SiC. Fornire una piattaforma economica e pronta per l'epidemiologia per la successiva ricrescita del GaN e la fabbricazione avanzata di dispositivi.

Visualizza il prodotto

Wafer GaN

Epitassia LED GaN

Le wafer epitassiali a LED GaN di PWG sono eterostrutture AlGaN/InGaN coltivate con MOCVD, progettate per LED ad alta efficienza UV, blu e verde. Dotati di strutture precise multi-pozzetto quantistico (MQW), questi wafer e epe offrono un'elevata efficienza quantistica interna (IQE), emissioni uniformi e una superiore affidabilità del dispositivo.

Visualizza il prodotto

Wafer Epitassiale al silicio

Power Wafertech Group fornisce wafer epitaxiali di silicio (wafer Si epi) coltivati tramite epitassi CVD avanzata. Strati epitasiali di silicio controllati con precisione vengono depositati su substrati conduttivi per ottenere lo spessore, il profilo di dopaggio e la resistività richiesti per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori.

Visualizza il prodotto

Wafer GaN

Epitassia GaN HEMT

Strutture HEMT AlGaN/GaN di precisione sviluppate per commutazione RF ad alta frequenza e alta potenza. Dotato di buffer a basso difetto e canali 2DEG ad alta densità per prestazioni superiori del dispositivo.

Visualizza il prodotto

Substrato di silicio

Power Wafertech Group fornisce wafer in silicio monocristallino per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori, MEMS, crescita epitassiale e applicazioni di ricerca. Possono essere forniti sia wafer di silicio di prima scelta che di prova di grado.

Visualizza il prodotto

Lamina di Anidride di Silicio

Power Wafertech Group fornisce wafer di anidride di silicio (SiO₂ on Si) prodotti tramite ossidazione termica controllata dei substrati di silicio. Sono disponibili sia l'ossidazione termica secca che quella termica a umido per diversi spessori di ossido e requisiti di processo. I nostri wafer SiO₂ presentano uno spessore controllato dell'ossido, una buona uniformità a livello di wafer e superfici pronte per l'epi-/processo.

Visualizza il prodotto

TRE FAMIGLIE DI MATERIALI PRINCIPALI

Roadmap dei materiali ingegnerizzati per il tuo dispositivo

Esamina substrati e wafer di epi per famiglia di materiali. Configurazioni standard e specifiche personalizzate disponibili per R&S e produzione in serie.

MATERIALI INGEGNERIZZATI

Semiconduttori composti III-V

Visualizza dettagli Citazione veloce

MATERIALI DI FONDAZIONE

Semiconduttore a banda larga

Visualizza dettagli Citazione veloce

SPECIFICO PER IL PROGRAMMA

Materiali al silicio

Parametri oltre la lista standard

Diametro e spessore personalizzati

Orientamento e stacco

Doping e resistività

Film sottili e stack di strati

Profilo di superficie e bordi

Marcatura e imballaggio

01Requisiti per inviare

02Revisione ingegneristica

03Allineamento delle specifiche

04Preventivo e tempi di consegna

Parla con un ingegnere

INCHIESTA TECNICA

Parla con gli ingegneri delle tue esigenze di wafer

Condividi il tuo materiale, le dimensioni, le specifiche, la fase di applicazione o del progetto. Il nostro team esaminerà le tue esigenze e risponderà entro un giorno lavorativo.