Lamine SiC

Substrato SiC

Wafer a substrato SiC per applicazioni di potenza, RF, optoelettronica e semiconduttori avanzati. Disponibile in 4H-SiC, 6H-SiC e 3C-SiC, con opzioni di tipo N, tipo P e semi-isolante, più dimensioni di wafer, livelli di dopaggio e finiture superficiali.

Visualizza il prodotto

Lamine SiC

Epitassia SiC

I nostri wafer epitassiali SiC – coltivati tramite CVD su substrati SiC – forniscono un'uniformità ben controllata e una bassa densità di difetti, formando una piattaforma affidabile per SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT e così via da 600V a 10kV.

Visualizza il prodotto

Wafer GaN

GaN Template

I template di GaN di PWG consistono in uno strato epitassiale di GaN di alta qualità cristallina coltivato su substrati estranei, offrendo un equilibrio ottimale tra prestazioni, gestione termica ed efficienza dei costi.

Visualizza il prodotto

Wafer GaN

Epitassia LED GaN

Le wafer epitassiali a LED GaN di PWG sono eterostrutture pronte per la fabbricazione sviluppate da MOCVD, progettate per un'elevata efficienza quantistica interna (IQE), un'emissione uniforme e prestazioni robuste.

Visualizza il prodotto

Wafer GaN

Epitassia GaN HEMT

Le wafer epitassiali GaN HEMT sono eterostrutture AlGaN/GaN di precisione sviluppate, progettate per dispositivi di commutazione ad alta frequenza e alta potenza.

Visualizza il prodotto

Wafer GaN

Substrato GaN indipendente

I substrati di GaN indipendenti (FS) sono wafer di GaN in massa che eliminano il modello di crescita estraneo (ad esempio, zaffiro o silicio), fornendo una piattaforma nativa con densità di dislocazioni significativamente ridotta. Questo consente prestazioni migliorate, affidabilità e durata del dispositivo in applicazioni impegnative

Visualizza il prodotto