Una piattaforma modello AlN-on-Si altamente versatile. Lo strato AlN di alta qualità supporta una vasta gamma di applicazioni tra cui epitassia di potenza GaN/RF, MEMs piezoelettrici (filtri saw/baw) e dispositivi fotonici avanzati, consentendo un'integrazione senza soluzione di continuità con processi produttivi maturi di silicio.

I modelli AlN su Zaffiro presentano film di AlN di alta qualità cristallina con bassa densità di difetti, eccellente stabilità termica e forti proprietà piezoelettriche. Sono ideali per LED a profondità UV, dispositivi di potenza/RF, filtri SAW e fotonica integrata.

Wafer di silicio monocristallino progettati per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori, MEMS e crescita epitassiale. Disponibile sia in prima che in prova con eccellente piattezza, bassa densità di difetti e finiture superficiali personalizzabili per soddisfare esattamente le tue esigenze di processo.

Wafer di Si e e di alta qualità coltivati tramite CVD, caratterizzati da spessore preciso, profilo di doping e controllo della resistività. Progettato con bassa densità di difetti e un'eccellente uniformità di spessore per CMOS avanzati, dispositivi di alimentazione discreti e fabbricazione di sensori.

Wafer di biossido di silicio di alta qualità (wafer SiO2-on-Si) prodotti tramite ossidazione termica precisa. Caratterizza un'eccellente uniformità dello spessore a livello di wafer, bassa densità di difetti e superfici pronte per il processo per isolamento a semiconduttore, ossidi a gate e fabbricazione MEMS.